[发明专利]薄膜层叠体

摘要

本发明的薄膜层叠体特征在于，在树脂基体上以第1层、第2层的顺序依次形成的薄膜层叠体中，第1层是有机无机复合薄膜，膜厚为500nm以上，其含有a)R_nSiX_4－n表示的有机硅化合物的缩合物及b)有机高分子化合物；第2层是下述a)金属氧化物薄膜或b)气体阻隔膜：a)金属氧化物薄膜，其利用溶胶凝胶法形成，膜厚为200nm以下，并且，以式{膜厚的偏差[％]＝100×(膜厚的标准偏差)/(膜厚的平均值)}表示的膜厚的偏差小于10％，b)气体阻隔膜，膜厚为500nm以下；并且，第1层在与第2层的界面侧具有上述有机硅化合物的缩合物浓缩而成的层，该浓缩层的碳原子的浓度与距第1层与第2层的界面深300nm处的第1层的碳原子的浓度相比少20％以上。

主权项

一种薄膜层叠体，其特征在于，在树脂基体上以第1层、第2层的顺序形成的薄膜层叠体中，第1层是膜厚为500nm以上的有机无机复合薄膜，所述第1层含有：a)式(I)表示的有机硅化合物的缩合物，以及，b)有机高分子化合物，R_nSiX_4－n   (I)式中，R表示碳原子直接键合在Si上的有机基团，X表示羟基或水解性基团，n表示1或2，n为2时各R可以相同也可以不同，(4－n)为2以上时各X可以相同也可以不同，第2层是下述a)金属氧化物薄膜或下述b)气体阻隔膜，a)金属氧化物薄膜，所述金属氧化物薄膜利用溶胶凝胶法形成，膜厚为200nm以下，并且，以下式表示的膜厚的偏差小于10％，膜厚的偏差[％]＝100×(膜厚的标准偏差)/(膜厚的平均值)b)气体阻隔膜，所述气体阻隔膜的膜厚为500nm以下，是由含有选自由钛、锆、铝、硅、锗、铟、锡、钽、锌、钨及铅组成的组中的金属元素的金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物或它们的复合物形成的，并且，第1层在与第2层的界面侧具有式(I)表示的有机硅化合物的缩合物浓缩而成的浓缩层，所述浓缩层的碳原子的浓度与距第1层与第2层的界面深300nm处的第1层的碳原子的浓度相比少40％以上，并且，所述第2层为气体阻隔膜的情况下，水蒸气透过度为1×10^－2g/m²·天以下。