[发明专利]用于硅基光电装置的高功函数缓冲层

摘要

本发明的实施方式大体提供硅基光电(photovoltaic；PV)装置，所述硅基光电装置包括高功函数(high work‑function；HWF)缓冲层，所述HWF缓冲层设置在透明导电氧化物(transparent conductive oxide；TCO)层与p‑i‑n结的p型硅基层之间。所述PV装置通常具有透明基板、设置在所述透明基板上的第一TCO层、设置在所述第一TCO层上的HWF缓冲层、设置在所述高功函数缓冲层上的p‑i‑n结、设置在n型硅基层上的第二TCO层和设置在所述第二TCO层上的金属反射层。所述p‑i‑n结包括设置在p型硅基层与n型硅基层之间的本征层，并且所述p型硅基层与所述HWF缓冲层接触。

主权项

1.一种光电装置，包括：透明基板；第一透明金属氧化物层，所述第一透明金属氧化物层设置在所述透明基板上；高功函数缓冲层，所述高功函数缓冲层包括氧化钒或氧化镍钨且设置在所述第一透明金属氧化物层上，其中所述高功函数缓冲层的电阻率在1×102μΩ·cm与1×108μΩ·cm之间；p‑i‑n结，所述p‑i‑n结设置在所述高功函数缓冲层上，其中所述p‑i‑n结包括设置在p型硅基层与n型硅基层之间的本征层，并且所述p型硅基层与所述高功函数缓冲层接触，其中所述p型硅基层包括碳，并且具有在从2at％到5at％范围内的碳浓度；第二透明金属氧化物层，所述第二透明金属氧化物层设置在所述n型硅基层上；以及金属反射层，所述金属反射层设置在所述第二透明金属氧化物层上，其中所述高功函数缓冲层的功函数等于或大于所述p型硅基层的功函数。