[实用新型]一种阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201320870215.X | 申请日: | 2013-12-26 |
公开(公告)号: | CN203720505U | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | 金熙哲;宋泳锡;刘圣烈;崔承镇 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型实施例提供一种阵列基板及显示装置,涉及显示技术领域。包括依次形成在透明基板表面的TFT的栅极以及栅绝缘层,在栅绝缘层对应TFT的栅极区域的表面依次形成有半导体有源层的图案、刻蚀阻挡层的图案以及TFT的源极和漏极,TFT的源极和漏极分别通过过孔与半导体有源层的图案相接触;以及形成在TFT的栅极和透明基板之间的屏蔽电极图案,TFT的栅极与屏蔽电极图案之间具有绝缘层;在栅极面对源极的区域,栅线的面积小于源极的面积;和/或在栅极面对漏极的区域,栅线的面积小于漏极的面积。这样一种阵列基板可以降低TFT的源、漏电极与栅极之间的寄生电容,提高显示装置的质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,包括:依次形成在透明基板表面的TFT的栅极以及栅绝缘层,在所述栅绝缘层对应所述TFT的栅极区域的表面依次形成有半导体有源层的图案、刻蚀阻挡层的图案以及所述TFT的源极和漏极,所述TFT的源极和漏极分别通过过孔与所述半导体有源层的图案相接触;其特征在于,还包括: 形成在所述TFT的栅极和所述透明基板之间的屏蔽电极图案,所述TFT的栅极与所述屏蔽电极图案之间具有绝缘层; 在所述栅极面对所述源极的区域,栅线的面积小于所述源极的面积;和/或在所述栅极面对所述漏极的区域,所述栅线的面积小于所述漏极的面积。
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