[实用新型]栅极侧面引出结构有效

专利信息
申请号: 201320826064.8 申请日: 2013-12-16
公开(公告)号: CN203607359U 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 李柄林;王珏;项兴奎;张锦媚;于丽梅 申请(专利权)人: 锦州华光电子管有限公司
主分类号: H01J1/46 分类号: H01J1/46;H01J5/32
代理公司: 锦州辽西专利事务所 21225 代理人: 葛春波
地址: 121001 辽*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种栅极侧面引出结构,具有芯柱,芯柱下面设有芯柱玻管,所述芯柱玻管与芯柱封接,芯柱上表面引出阴极引出线,其特殊之处是:所述芯柱玻管外圆周表面上引出栅极引出线,所述栅极引出线与芯柱玻管封接。该栅极侧面引出结构可提高绝缘性能,阴栅间漏电流低,可提高电子管电参数水平。
搜索关键词: 栅极 侧面 引出 结构
【主权项】:
一种栅极侧面引出结构,具有芯柱,芯柱下面设有芯柱玻管,所述芯柱玻管与芯柱封接,芯柱上表面引出阴极引出线,其特征是:所述芯柱玻管外圆周表面上引出栅极引出线,所述栅极引出线与芯柱玻管封接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于锦州华光电子管有限公司,未经锦州华光电子管有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201320826064.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 一种电子管栅极引出环-201720763381.8
  • 张建文;段险峰;杨成江 - 四川省宜宾惠美线业有限责任公司
  • 2017-06-28 - 2018-01-05 - H01J1/46
  • 本实用新型公开了一种电子管栅极引出环,属于高频加热、大功率发射机设备技术领域。包括引出环本体及设置在引出环本体内边沿的铜环;引出环本体上设置有多个条形槽,条形槽之间均匀分布;引出环本体外边沿设有凹陷,凹陷处设置有直径为7‑9mm的孔;引出环本体上还设置有宽度为1.8‑2.2mm的缝隙,缝隙由引出环本体内边沿延伸至引出环外边沿;凹陷设置在缝隙的一侧,缝隙的另一侧设有销子,销子内壁设有M6螺纹,且设置有M6不锈钢螺丝经过孔,再穿过缝隙,进入到M6螺纹中固定。本装置通过改进现有栅极引出环的结构,使电子管栅极引出环与可伐之间保持良好接触,从而解决真空电子管因为栅极发热造成电子管烧毁问题,延长电子管使用寿命。
  • 用于聚焦场发射的碳纳米管阵列-201080041998.X
  • 德彼坡罗萨德·罗伊·马哈帕特拉 - 印度科学院
  • 2010-08-10 - 2012-06-13 - H01J1/46
  • 本发明提供了用于场发射装置的系统和方法。碳纳米管阵列以可变高度分布设置在阴极基底上。设置阳极以加速向着X射线板发射的电子。电压供给至碳纳米管阵列以引起电子的发射。尖角高度分布可以为线性的或抛物线形的,所述可变高度分布的峰值高度可以出现在碳纳米管阵列的中心中。侧栅极还可以邻近碳纳米管阵列设置,以提供改善的电子发射和聚焦控制。
  • 栅极可伐环组件-200920010530.9
  • 王小波;刘乐禹;王凤兰 - 锦州华光电子管有限公司
  • 2009-02-09 - 2009-10-28 - H01J1/46
  • 一种栅极可伐环组件,解决了栅极内铜环外圆与栅极可伐环内孔、栅极可伐环外圆与栅极外铜环内孔之间薄边套封式焊接,薄边套封的方式使得在做成芯柱后的后续酸洗工艺过程中残留的酸液会在整管中蒸发,污染管内零件,破坏电子管的电参数的问题。它由栅极可伐环、栅极内铜环和栅极外铜环构成,所述的栅极可伐环的上边沿向下弯曲形成槽口向下的环形凹槽,其特殊之处是:所述的栅极内铜环底面焊接在环形凹槽的外顶面上,栅极外铜环顶面焊接在环形凹槽的内底面上。有益效果是:彻底消除了原结构中的钎焊裂缝,使得焊料均匀的分布到焊接面,均匀填充整个焊缝;从而减少因酸洗时残留酸液而产生的管内蒸发,提高电子管电参数性能。
  • 电子发射装置及显示装置-200810066515.6
  • 肖林;刘亮;姜开利;范守善 - 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
  • 2008-04-09 - 2009-10-14 - H01J1/46
  • 一种电子发射装置,包括一阴极装置及一栅极,所述栅极与所述阴极装置间隔设置并与所述阴极装置电绝缘,其中,所述栅极为一碳纳米管层,所述碳纳米管层包括多个碳纳米管长线结构。一种采用上述电子发射装置的显示装置,包括一阴极装置,一与阴极装置相对设置的阳极装置,一栅极设置在所述阴极装置与所述阳极装置之间,并与所述阴极装置和所述阳极装置间隔,其中,所述栅极包括一碳纳米管层,所述碳纳米管层包括多个碳纳米管长线结构。
  • 电子发射装置及显示装置-200810066517.5
  • 肖林;刘亮;姜开利;范守善 - 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
  • 2008-04-09 - 2009-10-14 - H01J1/46
  • 一种电子发射装置,包括一阴极装置及一栅极,所述栅极与所述阴极装置间隔设置并与所述阴极装置电绝缘,其中,所述栅极包括至少一碳纳米管薄膜和设置在该碳纳米管薄膜表面的多个碳纳米管长线结构。一种采用上述电子发射装置的显示装置,包括一阴极装置,一与阴极装置相对设置的阳极装置,一栅极设置在所述阴极装置与所述阳极装置之间,并与所述阴极装置和所述阳极装置间隔,其中,所述栅极包括至少一碳纳米管薄膜和设置在该碳纳米管薄膜表面的多个碳纳米管长线结构。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top