[实用新型]射频等离子体裂解Se蒸气装置有效
申请号: | 201320813498.4 | 申请日: | 2013-12-11 |
公开(公告)号: | CN203639544U | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 王赫;乔在祥;赵彦民;赵岳;申绪男;杨亦桐 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
主分类号: | C23C14/28 | 分类号: | C23C14/28 |
代理公司: | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人: | 李凤 |
地址: | 300384 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种射频等离子体裂解Se蒸气装置,包括经Se输入管路通向裂解反应壳体的Se原料罐;裂解反应壳体顶部通有裂解Se源喷嘴,其特点是:裂解反应壳体还有通入Ar气的Ar气管;裂解反应壳体内有垂直方向相互平行的底电极板和顶电极板,顶电极板和裂解反应壳体之间连接有RC振荡电路。本实用新型采用RC振荡电路产生频率射频电场,在射频电场中通入Ar气,Ar气在射频电场的作用下形成等离子体;无需高温加热,可将n≥5大原子团硒蒸气撞击裂解为n<5小原子团硒蒸气,不仅有效提高了硒蒸气的化学活性,提高了硒原料的利用率,避免了高温环境下硒蒸气对裂解装置的腐蚀,延长了裂解硒源装置的使用寿命长。 | ||
搜索关键词: | 射频 等离子体 裂解 se 蒸气 装置 | ||
【主权项】:
射频等离子体裂解Se蒸气装置,包括放置Se源裂解区域的裂解反应壳体,裂解反应壳体底部置有经Se输入管路通向裂解反应壳体的Se原料罐,Se输入管路上置有Se管路阀门;裂解反应壳体顶部通有裂解Se源喷嘴,其特征在于:所述裂解反应壳体底部还置有通入Ar气的Ar气管;所述裂解反应壳体内置有垂直方向相互平行的底电极板和顶电极板,所述顶电极板和裂解反应壳体之间连接有置于电路屏蔽壳体内的RC振荡电路。
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