[实用新型]一种低压差线性稳压器有效
申请号: | 201320674064.0 | 申请日: | 2013-10-29 |
公开(公告)号: | CN203658895U | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 贾雪绒 | 申请(专利权)人: | 西安华芯半导体有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 西安西交通盛知识产权代理有限责任公司 61217 | 代理人: | 田洲 |
地址: | 710055 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种低压差线性稳压器,包括线性稳压器、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电容、第二电容及倒相放大器;所述第一PMOS管的漏极分别与第二PMOS管的源极相连接,第一PMOS管的源极与线性稳压器相连接,第一PMOS管的漏极与源极之间通过第二电容相连接,第二PMOS管的漏极与第一NMOS管的漏极相连接,第一NMOS管的源极与第二NMOS管的漏极相连接,第二NMOS管的源极与漏极之间通过第一电容相连接,第二NMOS管的源极接地;所述倒相放大器的输入端分别与第二PMOS管的栅极、第一NMOS管的栅极相连接,倒相放大器的输出端分别与第一PMOS管的栅极、第二NMOS管的栅极相连接。本实用新型可以有效降低输出电压的电压波动。 | ||
搜索关键词: | 一种 低压 线性 稳压器 | ||
【主权项】:
一种低压差线性稳压器,其特征在于,包括线性稳压器、第一PMOS管(T1)、第二PMOS管(T2)、第一NMOS管(T3)、第二NMOS管(T4)、第一电容(C1)、第二电容(C2)及倒相放大器(U1);所述第一PMOS管(T1)的漏极与第二PMOS管(T2)的源极相连接,第一PMOS管(T1)的源极与线性稳压器相连接,第一PMOS管(T1)的漏极与源极之间通过第二电容(C2)相连接,第二PMOS管(T2)的漏极与第一NMOS管(T3)的漏极相连接,第一NMOS管(T3)的源极与第二NMOS管(T4)的漏极相连接,第二NMOS管(T4)的源极与漏极之间通过第一电容(C1)相连接,第二NMOS管(T4)的源极接地;所述倒相放大器(U1)的输入端分别与第二PMOS管(T2)的栅极、第一NMOS管(T3)的栅极相连接,倒相放大器(U1)的输出端分别与第一PMOS管(T1)的栅极、第二NMOS管(T4)的栅极相连接。
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