[实用新型]高压硅堆装置有效
| 申请号： | 201320591703.7 | 申请日： | 2013-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN203519769U | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 张炳生;冀东旭 | 申请（专利权）人： | 扬州市鑫源电气有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/12 | 分类号： | G01R31/12 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 奚衡宝 |
| 地址： | 225200 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种高压硅堆装置，包括若干硅盘（1），硅盘（1）上设置有硅粒子串（2）和均压环（4），所述的硅粒子串（2）由若干硅二极管（21）串联而成，组成硅粒子串（2）的每个硅二极管（21）分别与一只均压电阻（22）和一只均压电容（23）并联，硅盘（1）的高压输出端设保护电阻（5）。本实用新型设置了保护电阻，以适应直流发生器在试品闪络放电时产生频率较高的过电压的电压施加在保护电阻上，减小了二极管的反向电压，减小二极管击穿的概率，此均压和保护措施的设计，经使用达到了满意的均压效果。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 装置 | ||
【主权项】：
高压硅堆装置，包括若干硅盘（1），硅盘（1）上设置有硅粒子串（2）和均压环（4），所述的硅粒子串（2）由若干硅二极管（21）串联而成，组成硅粒子串（2）的每个硅二极管（21）分别与一只均压电阻（22）和一只均压电容（23）并联，其特征在于，硅盘（1）的高压输出端设保护电阻（5）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州市鑫源电气有限公司，未经扬州市鑫源电气有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320591703.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：旋切、滚锻磨球毛刺清理系统
- 下一篇：一种井筒隔绝阀
