[实用新型]高压硅堆装置有效
| 申请号： | 201320591703.7 | 申请日： | 2013-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN203519769U | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 张炳生;冀东旭 | 申请（专利权）人： | 扬州市鑫源电气有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/12 | 分类号： | G01R31/12 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 奚衡宝 |
| 地址： | 225200 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 装置 | ||
【权利要求书】：
1.高压硅堆装置，包括若干硅盘（1），硅盘（1）上设置有硅粒子串（2）和均压环（4），所述的硅粒子串（2）由若干硅二极管（21）串联而成，组成硅粒子串（2）的每个硅二极管（21）分别与一只均压电阻（22）和一只均压电容（23）并联，其特征在于，硅盘（1）的高压输出端设保护电阻（5）。
2.根据权利要求1所述的高压硅堆装置，其特征在于：所述保护电阻（5）采用两并三串结构。
3.根据权利要求1所述的高压硅堆装置，其特征在于，所述的均压电阻（22）为金属膜电阻，均压电容（23）瓷片电容器。
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