[实用新型]一种衰减器电路结构有效
| 申请号： | 201320537955.1 | 申请日： | 2013-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN203387476U | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 钟毅茨;王磊;张铁笛;邹盼希;张勇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03H11/24 | 分类号： | H03H11/24 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 周永宏 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开的一种衰减器电路结构包括由3个电阻组成的T型衰减电路，T型衰减电路的非并联接地支路采用一个场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）作为开关，T型衰减网络的接地并联支路采用串联的两个FET作为开关。采用串联的两个FET作为T型衰减网络并联接地支路的开关，一方面，当衰减器处于参考态时，大大降低了微波信号泄漏到衰减电路的可能性，另一方面，当衰减器处于衰减态时，两个FET作为衰减器电路的一部分，也提高了衰减器的衰减范围。为了进一步减小衰减器尺寸，该衰减器电路结构采用单片微波集成电路形式，使电路尺寸控制在芯片级，便于与其他元器件集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衰减器 电路 结构 | ||
【主权项】：
一种衰减器电路结构，包括由3个电阻组成的T型衰减电路，所述T型衰减电路的非并联接地支路采用一个场效应晶体管作为开关，其特征在于：所述T型衰减网络的接地并联支路采用串联的两个场效应晶体管作为开关。
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