[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201320533931.9 | 申请日： | 2013-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN203553172U | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 汉斯·彼得·费尔斯尔;汉斯-约阿希姆·舒尔茨;安东·毛德;约阿希姆·魏尔斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/07 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;李慧 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体器件，包括：半导体衬底，其中半导体衬底包括：第一表面和与第一表面相对的第二表面，半导体衬底具有从第一表面至第二表面延伸的厚度方向以及垂直于厚度方向的第一平面方向；在半导体衬底上形成有源区域和位于有源区域外侧的边缘终端区域，有源区域具有在厚度方向上靠近第一表面的具有第一掺杂的第一区域、形成在半导体衬底上的在厚度方向上靠近第二表面的具有第二掺杂的第二区域；设置在有源区域中和/或边缘终端区域中的电介质沟槽隔离结构，电介质沟槽隔离结构包括至少部分在厚度方向上延伸的沟槽以及填充在其中的电介质填充物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件（100）包括： 半导体衬底（1），其中所述半导体衬底（1）包括：第一表面（S1）和与所述第一表面（S1）相对的第二表面（S2），所述半导体衬底（1）具有从所述第一表面（S1）至所述第二表面（S2）延伸的厚度方向（V）以及垂直于所述厚度方向（V）的第一平面方向（H）； 在所述半导体衬底（1）上形成的有源区域（11）和位于所述有源区域（11）外侧的边缘终端区域（12），所述有源区域（11）具有在所述厚度方向（V）上靠近所述第一表面（S1）的具有第一掺杂的第一区域（111）、形成在所述半导体衬底（1）上的在所述厚度方向（V）上靠近所述第二表面（S2）的具有第二掺杂的第二区域（112）；以及 设置在所述有源区域（11）中和/或所述边缘终端区域（12）中的电介质沟槽隔离结构（T），所述电介质沟槽隔离结构（T）包括至少部分在所述厚度方向（V）上延伸的沟槽以及填充在其中的电介质填充物。
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