[实用新型]局部分级深度材料光栅超慢太赫兹波导有效

专利信息
申请号: 201320523703.3 申请日: 2013-08-26
公开(公告)号: CN203423242U 公开(公告)日: 2014-02-05
发明(设计)人: 史伟;郭宝山;姚建铨 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: H01P3/12 分类号: H01P3/12
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 刘国威
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 实用新型涉及金属或半导体光栅、波导技术领域,为解决太赫兹波低速传输的问题,精确控制太赫兹波传输速率,且结构简单,结果精确可控,具有可操作性,为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是,局部分级深度材料光栅超慢太赫兹波导,在局部分级深度材料表面刻写有周期形式的凹槽,凹槽深度一部分固定不变,另一部分分级变化,具体为前半段太赫兹传播起始阶段为渐变深度,后半段凹槽深度固定不变。本实用新型主要应用于太赫兹波低速传输。
搜索关键词: 局部 分级 深度 材料 光栅 超慢太 赫兹 波导
【主权项】:
一种局部分级深度材料光栅超慢太赫兹波导,其特征是,在局部分级深度材料表面刻写有周期形式的凹槽,凹槽深度一部分固定不变,另一部分分级变化,具体为前半段太赫兹传播起始阶段为渐变深度,后半段凹槽深度固定不变。
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