[实用新型]磁电阻成像传感器阵列有效
申请号: | 201320374601.X | 申请日: | 2013-06-27 |
公开(公告)号: | CN203350427U | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 薛松生;詹姆斯·G·迪克;金英西;沈卫锋;马克·C·仝大 | 申请(专利权)人: | 江苏多维科技有限公司 |
主分类号: | G01R33/022 | 分类号: | G01R33/022;G01R33/09 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 孙仿卫 |
地址: | 215634 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种磁电阻成像传感器阵列,包括媒介的磁场激发偏置装置;磁电阻传感器芯片,其包含一主表面和一感应面,主表面内建立有相垂直的X轴和Y轴;感应面内设置有若干构成阵列的磁电阻感应元件,一个或多个磁电阻感应元件的主要感应轴平行于X轴的方向,即为X轴感应元件,另外一个或多个磁电阻感应元件的主要感应轴平行于Y轴的方向,即为Y轴感应元件;激励磁电阻感应元件的电激励源;选择磁电阻感应元件的元件选择电路;输出信号电路。本实用新型能测量沿着两个轴向的磁场的幅度以及磁场梯度,这种双轴感测能力能使得图片更加清晰,具有较少的盲点;元件选择电路能在任何时间和任何所需的时间序列上监测磁场的绝对值和差值。 | ||
搜索关键词: | 磁电 成像 传感器 阵列 | ||
【主权项】:
一种磁电阻成像传感器阵列,用于从媒介上读取图像,其特征在于:其包括媒介的磁场激发偏置装置,所述的媒介的磁场激发偏置装置为所述的媒介上的图像提供偏置磁场;磁电阻传感器芯片,所述的磁电阻传感器芯片设置于所述的媒介的磁场激发偏置装置与所述的媒介之间,其包含一主表面和一感应面,所述的感应面平行于所述的主表面或在所述的主表面内,所述的主表面内建立有相垂直的X轴和Y轴;所述的感应面内设置有若干构成阵列的磁电阻感应元件,一个或多个所述的磁电阻感应元件的主要感应轴平行于所述的X轴的方向,即为X轴感应元件,另外一个或多个所述的磁电阻感应元件的主要感应轴平行于所述的Y轴的方向,即为Y轴感应元件。
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