[实用新型]磁电阻成像传感器阵列

权利要求书

1.一种磁电阻成像传感器阵列，用于从媒介上读取图像，其特征在于：其包括

媒介的磁场激发偏置装置，所述的媒介的磁场激发偏置装置为所述的媒介上的图像提供偏置磁场；

磁电阻传感器芯片，所述的磁电阻传感器芯片设置于所述的媒介的磁场激发偏置装置与所述的媒介之间，其包含一主表面和一感应面，所述的感应面平行于所述的主表面或在所述的主表面内，所述的主表面内建立有相垂直的X轴和Y轴；所述的感应面内设置有若干构成阵列的磁电阻感应元件，一个或多个所述的磁电阻感应元件的主要感应轴平行于所述的X轴的方向，即为X轴感应元件，另外一个或多个所述的磁电阻感应元件的主要感应轴平行于所述的Y轴的方向，即为Y轴感应元件。

2.根据权利要求1所述的磁电阻成像传感器阵列，其特征在于：所述的磁电阻感应元件为TMR元件。

3.根据权利要求1所述的磁电阻成像传感器阵列，其特征在于：所述的磁电阻传感器芯片上还设置有若干条形永磁体，所述的条形永磁体设置于所述的磁电阻感应元件之间且位于所述的感应面上或接近所述的感应面。

4.根据权利要求1所述的磁电阻成像传感器阵列，其特征在于：所述的X轴感应元件与所述的X轴之间的夹角为零；所述的Y轴感应元件与所述的Y轴之间的夹角为零。

5.根据权利要求1所述的磁电阻成像传感器阵列，其特征在于：所述的X轴感应元件和/或所述的Y轴感应元件分别与所述的X轴、Y轴之间具有一非零夹角。

6.根据权利要求1所述的磁电阻成像传感器阵列，其特征在于：所述的媒介的磁场激发偏置装置与所述的磁电阻传感器芯片之间设置有磁极片。

7.根据权利要求1所述的磁电阻成像传感器阵列，其特征在于：所述的单个磁电阻传感器芯片的宽度与该所述的磁电阻成像传感器阵列设计所需的可读宽度或所述的媒介的宽度相同。

8.根据权利要求1所述的磁电阻成像传感器阵列，其特征在于：所述的磁电阻传感器芯片由若干成行/列设置的子芯片组合构成，全部所述的子芯片的总体宽度与该所述的磁电阻成像传感器阵列设计所需的可读宽度或所述的媒介的宽度相同。

9.根据权利要求1所述的磁电阻成像传感器阵列，其特征在于：所述的阵列中相邻的所述的X轴感应元件之间、相邻的所述的Y轴感应元件之间分别沿所述的X轴的方向上的间距相等；所述的阵列中相邻的所述的X轴感应元件之间、相邻的所述的Y轴感应元件之间分别沿所述的Y轴的方向上的间距相等。

10.根据权利要求1所述的磁电阻成像传感器阵列，其特征在于：所述的阵列中相邻的所述的X轴感应元件之间、相邻的所述的Y轴感应元件之间分别在所述的X轴的方向或所述的Y轴的方向上有偏移或沿所述的X轴的方向或所述的Y轴上的间距不相等。

11.根据权利要求1所述的磁电阻成像传感器阵列，其特征在于：所述的磁电阻成像传感器阵列还包括一元件选择电路、一信号输出电路和一个或多个电激励源，所述的元件选择电路与所述的磁电阻感应元件相连接并提供方法来选择所述的磁电阻感应元件；所述的输出信号电路与所述的元件选择电路相连接；所述的电激励源与所述的磁电阻感应元件相连接并激励所述的磁电阻感应元件。

12.根据权利要求11所述的磁电阻成像传感器阵列，其特征在于：所述的元件选择电路包括两个或两个以上选择所述的磁电阻感应元件的电通道。

13.根据权利要求12所述的磁电阻成像传感器阵列，其特征在于：所述的磁电阻传感器芯片上还设置有提高磁场测量精度的标准元件和参考元件，所述的元件选择电路与所述的标准元件和参考元件相连接并通过所述的电通道选择所述的标准元件和参考元件。

14.根据权利要求13所述的磁电阻成像传感器阵列，其特征在于：所述的标准元件和参考元件包括温度传感器、高阻值非感应电阻、低阻值非感应电阻、X轴传感参考电阻、Y轴传感参考电阻。

15.根据权利要求11所述的磁电阻成像传感器阵列，其特征在于：所述的输出信号电路包括输入端与所述的元件选择电路相连接的放大器、输入端与所述的放大器的输出端相连接的模数转换器，所述的输出信号电路由微控制器控制，所述的数模转换器的输出端即为所述的输出信号电路的输出端。

16.根据权利要求11所述的磁电阻成像传感器阵列，其特征在于：所述的电激励源、所述的元件选择电路、所述的输出信号电路集成于ASIC芯片上，所述的ASIC芯片与所述的磁电阻传感器芯片相连接，所述的ASIC芯片和所述的磁电阻传感器芯片共同安装于印刷电路板上。