[实用新型]液晶阵列基板有效
申请号: | 201320353214.8 | 申请日: | 2013-06-19 |
公开(公告)号: | CN203337967U | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 姚晓慧;许哲豪 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/133;G09G3/36 |
代理公司: | 广东广和律师事务所 44298 | 代理人: | 刘敏 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种液晶阵列基板,包括多个像素区域,像素区域包括主区、子区以及调控TFT晶体管。主区包括第一TFT晶体管以及主区阵列电路公共电极走线,子区包括第二TFT晶体管以及子区阵列电路公共电极走线,其中,主区、子区阵列电路公共电极走线相互电隔离;其中,第一TFT晶体管的栅极与第一扫描线连接,源极与数据线连接,漏极与像素电极连接且与主区阵列电路公共电极走线耦接;第二TFT晶体管的栅极与第一扫描线连接,源极与数据线连接,漏极与像素电极连接且与子区阵列电路公共电极走线耦接;调控TFT晶体管的源极与第一TFT晶体管的漏极耦接,漏极、栅极分别与第二TFT晶体管的漏极以及第二扫描线连接。本实用新型的液晶阵列基板,容易检测出该液晶阵列基板是否合格。 | ||
搜索关键词: | 液晶 阵列 | ||
【主权项】:
一种液晶阵列基板,包括多个像素区域,每一像素区域包括主区、子区以及一调控TFT晶体管,该调控TFT晶体管用于调控主区与子区的电压比而实现低色彩偏移,其特征在于:主区包括第一TFT晶体管以及主区阵列电路公共电极走线,子区包括第二TFT晶体管以及子区阵列电路公共电极走线,其中,该主区阵列电路公共电极走线以及子区阵列电路公共电极走线相互电隔离;其中,该第一TFT晶体管的栅极与第一扫描线连接,源极与数据线连接,漏极与像素电极连接且与主区阵列电路公共电极走线耦接;该第二TFT晶体管的栅极与第一扫描线连接,源极与数据线连接,漏极与像素电极连接且与子区阵列电路公共电极走线耦接;该调控TFT晶体管的源极与第一TFT晶体管的漏极耦接,漏极与该第二TFT晶体管的漏极电连接,该调控TFT晶体管的栅极与第二扫描线连接。
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