[实用新型]一种基于片上加热电阻波长调谐的V型耦合腔半导体激光器有效
| 申请号： | 201320281510.1 | 申请日： | 2013-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN203288935U | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 邓浩瑜;何建军 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/06 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于片上加热电阻波长调谐的V型耦合腔半导体激光器。包括半波耦合器、固定增益腔和波长调谐腔构成的V型耦合腔半导体激光器；在波长调谐腔的顶部具有一段加热薄膜电阻，加热薄膜电阻与V型耦合腔半导体激光器的电注入金属电极之间具有一层电绝缘薄层；或者在波长调谐腔的一个侧面具有一段加热薄膜电阻；加热薄膜电阻的两端分别引出电极。本实用新型相对电流注入调谐，能够降低电流噪声影响，提高半导体激光器的线宽稳定性，并通过增益谱随温度移动增加波长调谐范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 加热 电阻 波长 调谐 耦合 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种基于片上加热电阻波长调谐的V型耦合腔半导体激光器，包括半波耦合器（2）、固定增益腔（1）和波长调谐腔（3）构成的V型耦合腔半导体激光器；其特征在于：在波长调谐腔（3）的顶部具有一段加热薄膜电阻（6），加热薄膜电阻（6）的两端分别引出电极；加热薄膜电阻（6）与V型耦合腔半导体激光器的电注入金属电极（8）之间具有一层电绝缘薄层（5）。
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