[实用新型]一种基于片上加热电阻波长调谐的V型耦合腔半导体激光器

权利要求书

1.一种基于片上加热电阻波长调谐的V型耦合腔半导体激光器，包括半波耦合器（2）、固定增益腔（1）和波长调谐腔（3）构成的V型耦合腔半导体激光器；其特征在于：在波长调谐腔（3）的顶部具有一段加热薄膜电阻（6），加热薄膜电阻（6）的两端分别引出电极；加热薄膜电阻（6）与V型耦合腔半导体激光器的电注入金属电极（8）之间具有一层电绝缘薄层（5）。

2.根据权利要求1所述的一种基于片上加热电阻波长调谐的V型耦合腔半导体激光器，其特征在于：在波长调谐腔（3）的顶部的加热薄膜电阻（6）和电注入金属电极（8）形成的整体的两个外侧各具有一段深刻蚀空气隔热槽（7）。

3.根据权利要求1所述的一种基于片上加热电阻波长调谐的V型耦合腔半导体激光器，其特征在于：在固定增益腔（1）的顶部具有一段加热薄膜电阻（6a），加热薄膜电阻（6a）与V型耦合腔半导体激光器的电注入金属电极（8）之间具有一层电绝缘薄层（5a）。

4.根据权利要求3所述的一种基于片上加热电阻波长调谐的V型耦合腔半导体激光器，其特征在于：在固定增益腔（1）的顶部的加热薄膜电阻（6a）和电注入金属电极（8）形成的整体的两个外侧各具有一段深刻蚀空气隔热槽（7a）；在波长调谐腔（3）的顶部的加热薄膜电阻（6）和电注入金属电极（8）形成的整体的两个外侧各具有一段深刻蚀空气隔热槽（7）。

5.一种基于片上加热电阻波长调谐的V型耦合腔半导体激光器，包括半波耦合器（2）、固定增益腔（1）和波长调谐腔（3）构成的V型耦合腔半导体激光器；其特征在于：在波长调谐腔（3）的一个侧面具有加热薄膜电阻（6），加热薄膜电阻（6）的两端分别引出电极。

6.根据权利要求5所述的一种基于片上加热电阻波长调谐的V型耦合腔半导体激光器，其特征在于：在波长调谐腔（3）的一个侧面的一段加热薄膜电阻（6）下方具有导热波导（10）；在波长调谐腔（3）的一个侧面的一段加热薄膜电阻（6）与导热波导（10）之间具有一层电绝缘薄层（5）。

7.根据权利要求5所述的一种基于片上加热电阻波长调谐的V型耦合腔半导体激光器，其特征在于：在波长调谐腔（3）的侧面的加热薄膜电阻（6）、导热波导（10）、电绝缘薄层（5）和电注入金属电极（8）形成的整体的两个外侧各具有一段深刻蚀空气隔热槽（7）。

8.根据权利要求5所述的一种基于片上加热电阻波长调谐的V型耦合腔半导体激光器，其特征在于：在固定增益腔（1）的一个侧面具有加热薄膜电阻（6a），加热薄膜电阻（6a）的两端分别引出电极。

9.根据权利要求8所述的一种基于片上加热电阻波长调谐的V型耦合腔半导体激光器，其特征在于：在固定增益腔（1）的一个侧面的一段加热薄膜电阻（6a）下方具有导热波导（10）；在固定增益腔（1）的一个侧面的一段加热薄膜电阻（6a）与导热波导（10）之间具有一层电绝缘薄层（5a）；在波长调谐腔（3）的一个侧面的一段加热薄膜电阻（6）下方具有导热波导（10）；在波长调谐腔（3）的一个侧面的一段加热薄膜电阻（6）与导热波导（10）之间具有一层电绝缘薄层（5）。

10.根据权利要求5所述的一种基于片上加热电阻波长调谐的V型耦合腔半导体激光器，其特征在于：在固定增益腔（1）的侧面的加热薄膜电阻（6a）、导热波导（10）、电绝缘薄层（5a）和电注入金属电极（8）形成的整体的两个外侧各具有一段深刻蚀空气隔热槽（7a）；在波长调谐腔（3）的侧面的加热薄膜电阻（6）、导热波导（10）、电绝缘薄层（5）和电注入金属电极（8）形成的整体的两个外侧各具有一段深刻蚀空气隔热槽（7）。