[实用新型]一种对Cu3N薄膜进行定量掺杂的装置有效

专利信息
申请号: 201320251673.5 申请日: 2013-05-10
公开(公告)号: CN203346466U 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 杜允;叶满萍 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: C23C14/06 分类号: C23C14/06;C23C14/35
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 杜军
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型公开了一种对Cu3N薄膜进行定量掺杂的装置,本实用新型的真空腔内设置有样品台、加热丝、衬底、靶,样品台设置在真空腔内底部,样品台上表面设置有加热丝,加热丝上设置有衬底;靶设置在真空腔内顶部;靶上方设置有磁铁,磁铁上方设置有冷却水系统,冷却水系统用于冷却磁铁;匹配箱的一端与冷却水系统相连接,另一端与射频源相连接;气瓶通过气管与真空腔相连接,气管上设置有流量控制器,用于控制气体流量;机械泵与分子泵的一端相连接,分子泵的另一端通过法兰与真空腔相连接;真空腔的外壁上设置有冷阴极规。本实用新型能够节约靶材,节约成本,实现对Cu3N薄膜进行定量掺杂、灵活掺杂。
搜索关键词: 一种 cu sub 薄膜 进行 定量 掺杂 装置
【主权项】:
一种对Cu3N薄膜进行定量掺杂的装置,其特征在于包括真空腔、样品台、加热丝、衬底、靶、冷却水系统、匹配箱、射频源、冷阴极规、分子泵、机械泵、气瓶、流量控制器;真空腔内设置有样品台、加热丝、衬底、靶,样品台设置在真空腔内底部,样品台上表面设置有加热丝,加热丝上设置有衬底;靶设置在 真空腔内顶部;靶上方设置有磁铁,磁铁上方设置有冷却水系统,冷却水系统用于冷却磁铁;匹配箱的一端与冷却水系统相连接,另一端与射频源相连接;气瓶通过气管与真空腔相连接,气管上设置有流量控制器,用于控制气体流量;机械泵与分子泵的一端相连接,分子泵的另一端通过法兰与真空腔相连接;真空腔的外壁上设置有冷阴极规;所述的靶为圆盘,且圆盘的不同圆环上开有多个固定槽。
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