[实用新型]磁控溅射设备有效

专利信息
申请号: 201320230076.4 申请日: 2013-04-28
公开(公告)号: CN203247303U 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 何茂盛 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;黄灿
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型涉及一种磁控溅射设备,包括:靶材;扫描机构;所述扫描机构包括:环形轨道;多个溅射磁条,所述多个溅射磁条移动地设置在所述环形轨道上,且能够绕所述环形轨道循环,用于对所述靶材表面进行均匀的磁场扫描。本实用新型的有益效果是:采用环形轨道代替现有的直线型轨道,使得溅射磁条的扫描为回旋式扫描,且溅射磁条不必在环形轨道的两端停留,一方面很大程度上降低了镀膜工艺时间,提高设备产能;且提高了靶材利用率,PM(preventive maintenance,靶材定期更换)频率得到了有效的降低。
搜索关键词: 磁控溅射 设备
【主权项】:
一种磁控溅射设备,其特征在于,包括:靶材;扫描机构;所述扫描机构包括:环形轨道;多个溅射磁条,所述多个溅射磁条设置在所述环形轨道上,且能够绕所述环形轨道循环移动,用于对所述靶材表面进行均匀的磁场扫描。
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