[实用新型]磁控溅射设备有效
申请号: | 201320230076.4 | 申请日: | 2013-04-28 |
公开(公告)号: | CN203247303U | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 何茂盛 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种磁控溅射设备,包括:靶材;扫描机构;所述扫描机构包括:环形轨道;多个溅射磁条,所述多个溅射磁条移动地设置在所述环形轨道上,且能够绕所述环形轨道循环,用于对所述靶材表面进行均匀的磁场扫描。本实用新型的有益效果是:采用环形轨道代替现有的直线型轨道,使得溅射磁条的扫描为回旋式扫描,且溅射磁条不必在环形轨道的两端停留,一方面很大程度上降低了镀膜工艺时间,提高设备产能;且提高了靶材利用率,PM(preventive maintenance,靶材定期更换)频率得到了有效的降低。 | ||
搜索关键词: | 磁控溅射 设备 | ||
【主权项】:
一种磁控溅射设备,其特征在于,包括:靶材;扫描机构;所述扫描机构包括:环形轨道;多个溅射磁条,所述多个溅射磁条设置在所述环形轨道上,且能够绕所述环形轨道循环移动,用于对所述靶材表面进行均匀的磁场扫描。
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