[实用新型]一种应用于键盘的静电防护电路有效
| 申请号： | 201320221428.X | 申请日： | 2013-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN203205855U | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 黄友华 | 申请（专利权）人： | 成都市宏山科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/00 | 分类号： | H02H9/00;H02H9/02;H01L23/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种应用于键盘的静电防护电路，它包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、P沟道场效应管、N沟道场效应管和二极管D1；所述的P沟道场效应管的漏极与N沟道场效应管的漏极相连，栅极和源极之间连接有电阻R2且源极连接在VDD上；所述的N沟道场效应管的源极和栅极之间连接有电阻R3；所述的二极管D1的负极连接在VDD上，正极与N沟道场效应管的源极相连且同时接地，所述的电阻R1的一端连接在N沟道场效应管的漏极上。其优点是：电路结构简单，便于集成化，且该电路能有效的将作用于键盘的静电泄放掉，以保护键盘的内部电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 键盘 静电 防护 电路 | ||
【主权项】：
一种应用于键盘的静电防护电路，其特征在于：它包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、P沟道场效应管、N沟道场效应管和二极管D1；所述的P沟道场效应管的漏极与N沟道场效应管的漏极相连，栅极和源极之间连接有电阻R2且源极连接在VDD上；所述的N沟道场效应管的源极和栅极之间连接有电阻R3；所述的二极管D1的负极连接在VDD上，正极与N沟道场效应管的源极相连且同时接地，所述的电阻R1的一端连接在N沟道场效应管的漏极上。
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