[实用新型]一种应用于键盘的静电防护电路有效

专利信息
申请号: 201320221428.X 申请日: 2013-04-27
公开(公告)号: CN203205855U 公开(公告)日: 2013-09-18
发明(设计)人: 黄友华 申请(专利权)人: 成都市宏山科技有限公司
主分类号: H02H9/00 分类号: H02H9/00;H02H9/02;H01L23/60
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 应用于 键盘 静电 防护 电路
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种静电防护电路,更具体的说是涉及一种应用于键盘的静电防护电路。

背景技术

键盘是最常见的计算机输入设备,它广泛应用于微型计算机和各种终端设备上。现在的办公,大多离不开电脑。当人在接触电脑时,手指上的静电场会引起介电物质的极化和键盘内电荷的重新分布。这时,原本存在于人体与设备之间的能量会转移到键盘内部的器件上,在这些强电场的作用下,芯片会被损坏,及烧毁键盘内的电子器件。其一般安装金属挡板来防止静电,但是对于键盘这种小巧型的电子器件,金属挡板显然增加了其的重量,将键盘的重量提高了百分之几十。

实用新型内容

本实用新型提供一种应用于键盘的静电防护电路,其电路结构简单,便于集成化,且该电路能有效的将作用于键盘的静电泄放掉,以保护键盘的内部电路。

为解决上述的技术问题,本实用新型采用以下技术方案:

一种应用于键盘的静电防护电路,它包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、P沟道场效应管、N沟道场效应管和二极管D1;所述的P沟道场效应管的漏极与N沟道场效应管的漏极相连,栅极和源极之间连接有电阻R2且源极连接在VDD上;所述的N沟道场效应管的源极和栅极之间连接有电阻R3;所述的二极管D1的负极连接在VDD上,正极与N沟道场效应管的源极相连且同时接地,所述的电阻R1的一端连接在N沟道场效应管的漏极上。

更进一步的技术方案是:

所述的电阻R2和电阻R3的阻值相同。

所述的电阻R1的阻值范围为1000欧姆到5000欧姆。

所述的二极管D1为稳压二极管。

在本实用新型中,键盘的IO端口和内部电路分别连接在电阻R1的两端,且内部电路连接在电阻R1与P沟道场效应管漏极连接的一端,电阻R1起限流的作用,避免电流对内部电路造成破坏,所有电阻R1的阻值应该金可能的大。P沟道场效应管、N沟道场效应管和二极管D1对静电的泄放提供4条静电泄放通路,即从VDD到IO端口,IO端口到VDD,地线到IO端口,IO端口到地线,从而将作用于键盘的静电泄放掉。电阻R2和电阻R3的作用在于防止电源微扰信号的干扰。P沟道场效应管、N沟道场效应管为电压控制元件,其功耗小,便于大规模的集成。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:

1、本实用新型的静电防护电路包括5个电子元器件,其结构简单,便于集成化。

2、本实用新型可提供4条泄放通路,可有效的将作用于键盘的静电泄放掉,避免静电对键盘造成破坏。

3、本实用新型的N沟道场效应管的源极和栅极之间连接有电阻R3、P沟道场效应管的栅极和源极之间连接有电阻R2,其能有效的防止电源微扰信号的干扰。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明。

图1为本实用新型的电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。本实用新型的实施方式包括但不限于下列实施例。

[实施例]

如图1所示的一种应用于键盘的静电防护电路,它包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、P沟道场效应管、N沟道场效应管和二极管D1;所述的P沟道场效应管的漏极与N沟道场效应管的漏极相连,栅极和源极之间连接有电阻R2且源极连接在VDD上;所述的N沟道场效应管的源极和栅极之间连接有电阻R3;所述的二极管D1的负极连接在VDD上,正极与N沟道场效应管的源极相连且同时接地,所述的电阻R1的一端连接在N沟道场效应管的漏极上。

所述的电阻R2和电阻R3的阻值相同。

所述的电阻R1的阻值范围为1000欧姆到5000欧姆。

所述的二极管D1为稳压二极管。

如上所述即为本实用新型的实施例。本实用新型不局限于上述实施方式,任何人应该得知在本实用新型的启示下做出的结构变化,凡是与本实用新型具有相同或相近的技术方案,均落入本实用新型的保护范围之内。

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