[实用新型]利用直流偏磁技术的磁头写磁电路有效
| 申请号： | 201320158210.4 | 申请日： | 2013-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN203179516U | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 程国生;田振华 | 申请（专利权）人： | 上海华东磁卡机有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/255 | 分类号： | G11B5/255 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种利用直流偏磁技术的磁头写磁电路。包括第一恒流源VCC1、第二恒流源VCC2、读写磁头L1、运算放大器U1A、场效应管Q1和阻抗R1；其特征在于，所述第一恒流源VCC1通过连接读写磁头L1接入场效应管Q1的漏极；场效应管Q1的栅极连接运算放大器U1A的输出端；场效应管Q1的源极连接阻抗R1；所述运算放大器U1A连接第二恒流源VCC2，且反相输入端连接阻抗R1，同相输入端输入1V。该电路通过增加一恒流源，使得写信号累加到此恒流源上，从而解决写高抗磁卡需要高电压问题。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 直流 技术 磁头 磁电 | ||
【主权项】：
利用直流偏磁技术的磁头写磁电路，包括第一恒流源VCC1、第二恒流源VCC2、读写磁头L1、运算放大器U1A、场效应管Q1和阻抗R1；其特征在于，所述第一恒流源VCC1通过连接读写磁头L1接入场效应管Q1的漏极；场效应管Q1的栅极连接运算放大器U1A的输出端；场效应管Q1的源极连接阻抗R1；所述运算放大器U1A连接第二恒流源VCC2，且反相输入端连接阻抗R1，同相输入端输入1V。
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