[实用新型]薄膜晶体管、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201320138307.9 | 申请日： | 2013-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN203134811U | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 杜雷 | 申请（专利权）人： | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 230011 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，以避免沟道区域的半导体层发生损伤。本实用新型中薄膜晶体管，包括栅电极、栅极绝缘层、半导体层和源漏电极，还包括：位于所述半导体层上方，覆盖所述源漏电极的沟道区域，由金属氧化物绝缘体构成的绝缘体层。通过本实用新型，当空气中的水蒸气浸入时，该金属氧化物绝缘体构成的绝缘体层会首先与水蒸气发生反应，从而能够防止沟道区域的金属氧化物半导体被损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括栅电极、栅极绝缘层、半导体层和源漏电极，其特征在于，还包括：位于所述半导体层上方，覆盖所述源漏电极的沟道区域，由金属氧化物绝缘体构成的绝缘体层。
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