[实用新型]一种基于FPGA实现多片Nandflash存储及读取的装置有效
| 申请号： | 201320124655.0 | 申请日： | 2013-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN203192416U | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 马晓川;鄢社锋;林津丞;杨力;彭承彦;王敏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院声学研究所 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京法思腾知识产权代理有限公司 11318 | 代理人： | 杨小蓉;杨青 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于FPGA实现多片NandFlash存储及读取的装置，其中该装置包括：Nandflash存储器组，包含多片Nandflash芯片组成的存储器阵列，用于存储FPGA输出给Nandflash的ADC采样数据；Nandflash存储及读取功能选择器，用于对所述Nandflash存储器组进行读数据、写数据、擦除和读取ID信息。采用本实用新型的技术方案，使得管脚数量成倍提升，相当于在物理层上对数据传输的带宽进行扩展，这样速率可以得到很大的提高，而且只在物理层上扩展，减小了FPGA程序开发的难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 fpga 实现 nandflash 存储 读取 装置 | ||
【主权项】：
一种基于FPGA实现多片NandFlash存储及读取的装置，其中该装置包括： Nandflash存储器组，包含多片Nandflash芯片组成的存储器阵列，用于存储FPGA输出给Nandflash的ADC采样数据； Nandflash存储及读取功能选择器，用于对所述Nandflash存储器组进行读数据、写数据、擦除和读取ID信息。
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