[实用新型]一种离子镀弧源头有效
| 申请号： | 201320090903.4 | 申请日： | 2013-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN203065563U | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 高斌;郎文昌;吴百中 | 申请（专利权）人： | 温州职业技术学院 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 325035 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及薄膜与涂层制备技术领域，具体地说是一种离子镀弧源头。靶材安装于靶材底座的一端，靶材底座底盘嵌套在靶材底座外，通过绝缘套进行密封保护，永久磁体装置安装在靶材底座内部空心位置，与靶材底座底部通过螺纹连接，靶材底座外围通过靶材底座屏蔽罩对内部进行保护；靶材底座底盘靠近靶材底座位置开一引弧装置安装孔，引弧装置的一端设置于引弧装置安装孔中，引弧装置的另一端与靶材相对应。本实用新型突破传统冷阴极离子镀弧源装置的设计思路，针对直径60-150mm的圆形靶材，对传统弧源结构进行改进，用以改善传统电弧离子镀弧源结构复杂、适应性差、难以实现特殊镀膜需求、操作复杂、靶材更换难度大、位置可调性差的缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子镀 源头 | ||
【主权项】：
一种离子镀弧源头，其特征在于，靶材安装于靶材底座的一端，靶材底座底盘嵌套在靶材底座外，永久磁体装置安装于靶材底座，靶材底座底盘靠近靶材底座位置设有引弧装置安装孔，引弧装置的一端设置于引弧装置安装孔中，引弧装置的另一端与靶材相对应。
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