[发明专利]一种真空蒸发镀膜的方法和一种覆盖蒸发镀膜的稀土磁铁有效
申请号: | 201310756791.6 | 申请日: | 2013-12-27 |
公开(公告)号: | CN104032263A | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | 永田浩;傅东辉;翁松青 | 申请(专利权)人: | 厦门钨业股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24;C23C14/18;H01F41/20 |
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地址: | 361015 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种真空蒸发镀膜的方法和一种覆盖蒸发镀膜的稀土磁铁,该方法包括如下的步骤:1)稀土磁铁工件进行前处理之后,装在工件架上;2)将所述工件架送入反应室,预氧化;3)将所述工件架送入镀膜室,抽真空,将金属蒸发材料M加热到蒸发温度,对所述稀土磁铁工件进行蒸镀;4)降温,破真空,取出工件获得。该方法是通过对稀土磁铁预先进行微量氧化、而后通入M蒸气发生置换反应的方式防止稀土磁铁的过度氧化,并获得致密的MO分布薄层和与该MO分布薄层牢固连接的M层。 | ||
搜索关键词: | 一种 真空 蒸发 镀膜 方法 覆盖 稀土 磁铁 | ||
【主权项】:
一种稀土磁铁真空蒸发镀膜的方法,所述的稀土磁铁为含有R2T14B主相的磁铁,所述的R为选自包含钇元素在内的稀土元素中的至少一种,所述T为包括Fe的至少一种过渡金属元素,其特征在于,包括以下步骤:1)稀土磁铁工件进行前处理之后,装在工件架上;2)将所述工件架送入反应室,预氧化;3)将所述工件架送入镀膜室,抽真空,将金属蒸发材料M加热到蒸发温度,对所述稀土磁铁工件进行蒸镀;4)降温,破真空,取出工件获得。
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