[发明专利]用于覆膜铁的可直接复合的低熔点聚酯薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310755690.7 申请日: 2013-12-27
公开(公告)号: CN103753932A 公开(公告)日: 2014-04-30
发明(设计)人: 苏志钢;赵富;田立斌;徐京姬;任大鹏 申请(专利权)人: 天津万华股份有限公司
主分类号: B32B37/04 分类号: B32B37/04;B32B38/00
代理公司: 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 代理人: 郑乘澄
地址: 300385 天*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种用于覆膜铁的可直接复合的低熔点聚酯薄膜的制备方法,芯层聚酯切片选用熔点为180-230℃的纯聚酯切片占总质量的60-80%与二氧化硅添加剂型聚酯切片占总质量的40-20%混合,为避免熔融挤出过程中PET降解,对芯层的聚酯切片进行结晶干燥处理,第一次结晶温度80-120℃,12小时,第二次结晶温度150℃,干燥温度160℃,干燥时间不少于6小时;本发明的聚酯薄膜具有熔点低,拉伸性能好,加工性高,耐高温蒸煮、高阻隔性、无毒以及防止脱落等优点,作为食品、药品铁制罐内层以及外层,可进行高温消毒灭菌,同时无粘着剂、无化学溶剂,可确保使用安全。
搜索关键词: 用于 覆膜铁 直接 复合 熔点 聚酯 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种用于覆膜铁的可直接复合的低熔点聚酯薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)芯层聚酯切片预处理:按质量百分比,芯层聚酯切片选用熔点为180‑230℃的纯聚酯切片占60‑80%,与40‑20%的熔点为180‑230℃的二氧化硅添加剂型聚酯切片混合,为避免熔融挤出过程中PET降解,对芯层的聚酯切片进行结晶干燥处理,第一次结晶温度80‑120℃,12小时,第二次结晶温度150℃,干燥温度160℃,干燥时间不少于6小时;2)表、底层聚酯切片的预处理:按质量百分比,表、底层聚酯切片选用熔点为180‑230℃的聚酯切片占60‑80%,与40‑20%的熔点为180‑230℃的二氧化硅添加剂型聚酯切片混合,采用双螺杆真空泵排除水分;3)熔融挤出:三层共挤,其中主挤出机进行芯层物料的挤出,另两台为具有真空排气功能的双螺杆辅挤出机,分别进行表层和底层物料的挤出,物料挤出温度比聚酯切片的熔点高10‑20℃;4)模头铸片:三层熔体经过熔融、过滤后进入模头被挤出,形成型铸片,模头温度比聚酯切片的熔点温度高10‑20℃,铸片冷辊温度为25‑30℃;5)纵向拉伸:模头铸片后,进入纵向拉伸机,纵向拉伸温度为75‑80℃,拉伸倍数为3‑3.5倍6)横向拉伸:纵向拉伸后,进入横向拉伸机拉伸并热定型,热定型温度比聚酯切片的熔点低10‑20℃;7)牵引收卷:薄膜成型后,进行牵引和收卷,在牵引站中对底层进行电晕处理。
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