[发明专利]一种TSV电镀铜退火效果的检测方法有效
| 申请号： | 201310751695.2 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103698349A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 马丽;于仙仙;李艳艳;王溯 | 申请（专利权）人： | 上海新阳半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/22 | 分类号： | G01N23/22 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 贾慧琴 |
| 地址： | 201616 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TSV电镀铜退火效果的检测方法，包含：步骤1，对TSV芯片进行物理研磨；步骤2，通过微腐蚀液抛光，将研磨好的TSV芯片在酸性的微腐蚀液介质中于抛光布上进行抛光腐蚀，抛光时间为0.5-10min；微腐蚀液是采用去氧化物的水溶液，按质量体积比计加入250-350g/L的三氧化二铝抛光粉制备而成的悬浮液；步骤3，超声去抛光粉，以水为介质将腐蚀后的TSV芯片超声1-5min，去除TSV孔表面的抛光粉及其异物；步骤4，将超声后的TSV芯片在扫描电镜下观察。本发明提供的TSV电镀铜退火效果的检测方法，有效方便、费用低，分析周期短，可以节约时间和成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tsv 镀铜 退火 效果 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种TSV电镀铜退火效果的检测方法，其特征在于，该方法包含： 步骤1，对TSV芯片进行物理研磨； 步骤2，通过微腐蚀液抛光，将研磨好的TSV芯片在酸性的微腐蚀液介质中于抛光布上进行抛光腐蚀，抛光时间为0.5‑10 min；所述的微腐蚀液是采用去氧化物的水溶液，按质量体积比计加入250‑350g/L的三氧化二铝抛光粉制备而成的悬浮液； 步骤3，超声去抛光粉，以水为介质将腐蚀后的TSV芯片超声1‑5min，去除TSV孔表面的抛光粉及其异物； 步骤4，将超声后的TSV芯片在扫描电镜下观察。
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