[发明专利]电荷补偿半导体器件有效
| 申请号： | 201310747469.7 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103915485B | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | S.加梅里特;F.希尔勒;H.韦伯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 马红梅,胡莉莉 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及电荷补偿半导体器件。一种半导体器件具有源极金属化部、漏极金属化部以及半导体主体。该半导体主体包括与漏极金属化部接触的第一导电性类型的漂移层、在最大掺杂浓度方面高于漂移层的第一导电性类型的缓冲（和场阻止）层以及第二导电性的多个补偿区，每个与漂移和缓冲层形成pn结并与源极金属化部进行接触。每个补偿区包括在第二部分与源极金属化部之间的第一部分。第一部分和漂移层形成具有等于零的净掺杂的第一区域。第二部分和缓冲层形成第一导电性的第二区域。当在漏极和源极金属化部之间施加器件击穿电压的超过30%的反向电压时，在第二区域中形成空间电荷区。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 补偿 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种具有击穿电压的半导体器件，包括：‑ 源极金属化部；‑ 漏极金属化部；以及‑ 半导体主体，包括：‑ 主表面；‑ 第一导电性类型的漂移层，其与漏极金属化部进行欧姆接触并且延伸到主表面；‑ 第一导电性类型的缓冲层和场阻止层，缓冲层邻接漂移层且包括高于漂移层的最大掺杂浓度；以及‑ 在垂直于主表面的垂直横截面中，第二导电性类型的多个间隔开的补偿区，其中的每一个与漂移层，缓冲层和场阻止层形成相应第一pn结，并且与源极金属化部进行欧姆接触，每个补偿区包括第二部分和布置在第二部分与源极金属化部之间的第一部分，该第一部分和漂移层形成具有等于零的净掺杂的带状第一区域，第二部分与至少缓冲层和场阻止层形成具有第一导电性类型的净掺杂的带状第二区域，‑ 其中，当在漏极金属化部和源极金属化部之间施加在击穿电压的30%与70%之间的反向电压时，在第二区域中形成空间电荷区，其中所述欧姆接触涉及电阻性电流路径。
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