[发明专利]Trench MOS器件的制造方法在审
| 申请号： | 201310739296.4 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN104752207A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 黄晨 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种Trench MOS器件的制造方法，在硅层的下方形成类型与所述硅层类型相反的离子注入区，离子注入区与漏极层类型一致，由于硅层中的空穴或电子能够与离子注入区的电子或空穴结合，从而能够降低硅层和漏极层之间的基区电流，在基区电阻不变的情况下，能够降低基区电压Vb，从而提高Trench MOS器件的耐用性。 | ||
| 搜索关键词： | trench mos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种Trench MOS器件的制造方法，包括步骤：提供漏极层；对所述漏极层的表面进行离子注入，形成间隔排列的离子注入区，注入的离子类型与所述漏极层类型一致；在所述漏极层表面形成Trench MOS器件结构，所述Trench MOS器件结构包括硅层，所述硅层注入的离子类型与所述漏极层类型相反，且所述硅层位于所述离子注入区的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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