[发明专利]低频压控移相电路在审
| 申请号： | 201310738124.5 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103715993A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 赵明洪;董晓辉 | 申请（专利权）人： | 成都芯通科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/42 | 分类号： | H03F1/42 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人： | 熊晓果;林辉轮 |
| 地址： | 610041 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低频压控移相电路，包括正交电桥电路，所述正交电桥电路的两个输入输出端分别串接去耦电容，所述两个去耦电容分别连接变容二极管的反向端，所述两个变容二极管的正向端分别接地，所述去耦电容和变容二极管之间引出抽头与隔离电阻一端连接，所述隔离电阻另一端连接外部相位控制电压；其中，所述正交电桥电路包括第一3dB正交电桥，所述第一3dB正交电桥由电感L和端接电容C1、C2构成，所述电感L由同轴线绕在磁芯上构成。本发明低频压控移相电路体积小且易于实现，成本较低，利用其可以使低场MRI系统所用功率放大器覆盖8MHz到30MHz的低频带范围。 | ||
| 搜索关键词： | 低频 压控移相 电路 | ||
【主权项】：
一种低频压控移相电路，其特征在于，包括正交电桥电路，所述正交电桥电路的两个输入输出端分别串接去耦电容，所述两个去耦电容分别连接变容二极管的反向端，所述两个变容二极管的正向端分别接地，所述去耦电容和变容二极管之间引出抽头与隔离电阻一端连接，所述隔离电阻另一端连接外部相位控制电压；其中，所述正交电桥电路包括第一3dB正交电桥，所述第一3dB正交电桥由电感L和端接电容C1、C2构成，所述电感L由同轴线绕在磁芯上构成。
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