[发明专利]低频压控移相电路在审
| 申请号： | 201310738124.5 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103715993A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 赵明洪;董晓辉 | 申请（专利权）人： | 成都芯通科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/42 | 分类号： | H03F1/42 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人： | 熊晓果;林辉轮 |
| 地址： | 610041 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低频 压控移相 电路 | ||
1.一种低频压控移相电路，其特征在于，包括正交电桥电路，所述正交电桥电路的两个输入输出端分别串接去耦电容，所述两个去耦电容分别连接变容二极管的反向端，所述两个变容二极管的正向端分别接地，所述去耦电容和变容二极管之间引出抽头与隔离电阻一端连接，所述隔离电阻另一端连接外部相位控制电压；其中，所述正交电桥电路包括第一3dB正交电桥，所述第一3dB正交电桥由电感L和端接电容C1、C2构成，所述电感L由同轴线绕在磁芯上构成。
2.根据权利要求1所述的低频压控移相电路，其特征在于，所述变容二极管包括一个压控变容二极管。
3.根据权利要求1所述的低频压控移相电路，其特征在于，所述变容二极管包括并联的至少两个压控变容二极管。
4.根据权利要求1或2或3所述的低频压控移相电路，其特征在于，所述正交电桥电路还包括第二3dB正交电桥，所述第一3dB正交电桥的一个输入输出端和隔离端分别通过预定相位长度的延迟线与第二3dB正交电桥的耦合端和一个输入输出端连接；所述第一3dB正交电桥的另一个输入输出端和第二3dB正交电桥的另一个输入输出端分别连接所述去耦电容。
5.根据权利要求4所述的低频压控移相电路，其特征在于，所述预定相位长度的延迟线是同轴线缆或LC集中参数延迟线。
6.根据权利要求5所述的低频压控移相电路，其特征在于，所述延迟线的预定相位长度为22°至24°。
7.根据权利要求4所述的低频压控移相电路，其特征在于，所述第二3dB正交电桥与所述第一3dB正交电桥结构相同。
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