[发明专利]一种高深宽比垂直玻璃通孔的刻蚀方法有效
申请号: | 201310734714.0 | 申请日: | 2013-12-27 |
公开(公告)号: | CN103700621A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 丹尼尔·吉多蒂;靖向萌;张名川 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人: | 任益 |
地址: | 214135 江苏省无锡市菱*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种高密度和深宽比垂直玻璃通孔的刻蚀方法,以及包含上述刻蚀方法在内的一种刻蚀石英玻璃的系统。通过在玻璃晶圆工件沉积一层适当厚度的掩膜,然后进行反应离子刻蚀在整个工件区域的掩膜上开出一组通孔,随后沉积一层钝化层,因为玻璃的刻蚀速率远大于对掩膜的刻蚀速率,就能保证玻璃通孔的垂直度。刻蚀熔融石英玻璃的系统除包括反应腔,射频激励,气体交换系统阀门,反应腔真空控制阀门之外,还包含一个加热装置。加热装置位于反应腔内,通过其内置的加热部件和冷却部件,以及一个可以打开或折叠的小支架实现玻璃工件与加热装置的离合,使得玻璃工件可以在短时间内快速升温和降温。 | ||
搜索关键词: | 一种 高深 垂直 玻璃 刻蚀 方法 | ||
【主权项】:
一种高密度和深宽比垂直玻璃通孔的刻蚀方法,其特征是包括以下步骤:A. 提供一个平板状的玻璃晶圆工件,表面平整,主要成分为二氧化硅;B.在上述玻璃晶圆工件上的至少一个表面上沉积一层掩膜;C.在上述掩膜上整个工件区域内开出一组通孔;D.对上述工件进行反应离子刻蚀,通过掩膜的通孔对玻璃进行刻蚀,玻璃的刻蚀速率远大于对掩膜的刻蚀速率;E.通过气相沉积法在掩膜以及工件表面上沉积一层钝化层;F.在侧壁钝化层形成后,钝化气体换成反应气体,重复步骤D和E,获得高精度垂直通孔,直到通孔深度达到所要求的深度。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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