[发明专利]一种高深宽比垂直玻璃通孔的刻蚀方法有效

专利信息
申请号: 201310734714.0 申请日: 2013-12-27
公开(公告)号: CN103700621A 公开(公告)日: 2014-04-02
发明(设计)人: 丹尼尔·吉多蒂;靖向萌;张名川 申请(专利权)人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 代理人: 任益
地址: 214135 江苏省无锡市菱*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种高密度和深宽比垂直玻璃通孔的刻蚀方法,以及包含上述刻蚀方法在内的一种刻蚀石英玻璃的系统。通过在玻璃晶圆工件沉积一层适当厚度的掩膜,然后进行反应离子刻蚀在整个工件区域的掩膜上开出一组通孔,随后沉积一层钝化层,因为玻璃的刻蚀速率远大于对掩膜的刻蚀速率,就能保证玻璃通孔的垂直度。刻蚀熔融石英玻璃的系统除包括反应腔,射频激励,气体交换系统阀门,反应腔真空控制阀门之外,还包含一个加热装置。加热装置位于反应腔内,通过其内置的加热部件和冷却部件,以及一个可以打开或折叠的小支架实现玻璃工件与加热装置的离合,使得玻璃工件可以在短时间内快速升温和降温。
搜索关键词: 一种 高深 垂直 玻璃 刻蚀 方法
【主权项】:
一种高密度和深宽比垂直玻璃通孔的刻蚀方法,其特征是包括以下步骤:A. 提供一个平板状的玻璃晶圆工件,表面平整,主要成分为二氧化硅;B.在上述玻璃晶圆工件上的至少一个表面上沉积一层掩膜;C.在上述掩膜上整个工件区域内开出一组通孔;D.对上述工件进行反应离子刻蚀,通过掩膜的通孔对玻璃进行刻蚀,玻璃的刻蚀速率远大于对掩膜的刻蚀速率;E.通过气相沉积法在掩膜以及工件表面上沉积一层钝化层;F.在侧壁钝化层形成后,钝化气体换成反应气体,重复步骤D和E,获得高精度垂直通孔,直到通孔深度达到所要求的深度。
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