[发明专利]一种缺陷地加载磁耦合结构的介质波导滤波器有效
| 申请号： | 201310732410.0 | 申请日： | 2013-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103682534A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 李梁;史少洪;张磊;苏敏;郭栋;高蔚;张思晛 | 申请（专利权）人： | 航天恒星科技有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/203 | 分类号： | H01P1/203;H01P1/207 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 安丽 |
| 地址： | 100086 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种缺陷地加载磁耦合结构的介质波导滤波器，在介质基片的两侧各打一排金属化通孔，电磁波被限制在介质基片的上下两个金属面和两排金属化通孔之间的区域传播，形成了介质波导传输线；在形成的介质波导传输线上沿垂直于水平中心线打两对左右对称的金属化通孔，将介质波导传输线分割成三个部分，这三个部分则为介质波导谐振腔，而这两对左右对称的金属化通孔构成磁耦合结构；在输入输出微带线到上述的介质波导传输线的上层金属面加载双L型过渡结构完成微带线到介质波导的过渡，同时与上述双L型过渡结构相邻的介质波导谐振腔下层金属面加载缺陷地结构。本发明达到低插损，高带外抑制优点，可用于射频前端、镜像抑制、杂散抑制等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 缺陷 加载 耦合 结构 介质波导 滤波器 | ||
【主权项】：
一种缺陷地加载磁耦合结构的介质波导滤波器，其特征在于：在介质基片的两侧各打一排金属化通孔（1），电磁波被限制在介质基片的上下两个金属面和两排金属化通孔之间的区域传播，形成了介质波导传输线；在形成的介质波导传输线上沿垂直于水平中心线打两对左右对称的金属化通孔（2），将介质波导传输线分割成三个部分，这三个部分则为介质波导谐振腔（3），而这两对左右对称的金属化通孔（2）构成磁耦合结构；在输入输出微带线（6）到上述的介质波导传输线的上层金属面加载双L型过渡结构（4）完成微带线到介质波导的过渡，同时与上述双L型过渡结构（4）相邻的介质波导谐振腔（3）下层金属面加载缺陷地结构（5）。
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