[发明专利]一种改进的差分架构ETOX flash存储单元无效
| 申请号： | 201310723129.0 | 申请日： | 2013-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103745749A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 翁宇飞;张其笑;姜伟;李有忠;李二亮 | 申请（专利权）人： | 苏州宽温电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改进的差分架构ETOX flash存储单元，包括浮栅晶体管M1和浮栅晶体管M2，M1和M2的上面是源线SL控制电路模块，M1和M2的下面是位线BL控制电路模块和灵敏放大电路模块，M1和M2的源极分别作为存储单元的两根源线SL1、SL2；M1和M2的漏极分别作为存储单元的两根位线BL1、BL2；M1和M2的第二层栅极作为存储单元的控制栅CG。本发明采用差分对称结构，每条支路由一个传统ETOX flash单元组成，两条支路的位线作为一组差分对输入到灵敏放大器中，然后对比读出数据。本发明采用差分架构，有效地扩大了读操作时的可区分电流范围，存储单元支路的阻抗匹配更好，稳定性更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进 架构 etox flash 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种改进的差分架构ETOX flash存储单元，其特征在于：包括浮栅晶体管M1和浮栅晶体管M2，所述浮栅晶体管M1和浮栅晶体管M2的上面是源线SL控制电路模块，所述浮栅晶体管M1和浮栅晶体管M2的下面是位线BL控制电路模块和灵敏放大电路模块，所述浮栅晶体管M1和浮栅晶体管M2的源极分别作为存储单元的两根源线SL1、SL2；所述浮栅晶体管M1和浮栅晶体管M2的漏极分别作为存储单元的两根位线BL1、BL2；所述浮栅晶体管M1和浮栅晶体管M2的第二层栅极作为存储单元的控制栅CG。
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