[发明专利]一种改进的差分架构ETOX flash存储单元无效
| 申请号： | 201310723129.0 | 申请日： | 2013-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103745749A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 翁宇飞;张其笑;姜伟;李有忠;李二亮 | 申请（专利权）人： | 苏州宽温电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改进 架构 etox flash 存储 单元 | ||
【权利要求书】：
1.一种改进的差分架构ETOX flash存储单元，其特征在于：包括浮栅晶体管M1和浮栅晶体管M2，所述浮栅晶体管M1和浮栅晶体管M2的上面是源线SL控制电路模块，所述浮栅晶体管M1和浮栅晶体管M2的下面是位线BL控制电路模块和灵敏放大电路模块，所述浮栅晶体管M1和浮栅晶体管M2的源极分别作为存储单元的两根源线SL1、SL2；所述浮栅晶体管M1和浮栅晶体管M2的漏极分别作为存储单元的两根位线BL1、BL2；所述浮栅晶体管M1和浮栅晶体管M2的第二层栅极作为存储单元的控制栅CG。
2.根据权利要求1所述的改进的差分架构ETOX flash存储单元，其特征在于：所述浮栅晶体管M1和浮栅晶体管M2是传统ETOX flash单元，整体采用对称结构组成了差分型ETOX flash单元。
3.根据权利要求1所述的改进的差分架构ETOX flash存储单元，其特征在于：所述源线SL控制电路模块包括编译码电路，通过地址信号控制，同时承担编程时提供电源的任务，所述位线BL控制电路放大模块包括编译码电路，灵敏放大电路模块承担读取数据的任务。
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