[发明专利]一种高压方波发生器实现方法有效
| 申请号： | 201310722316.7 | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103684360A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 龙兆芝;李文婷;丁卫东;刘少波;任想;乔兵兵 | 申请（专利权）人： | 国家电网公司;中国电力科学研究院;西安交通大学 |
| 主分类号： | H03K3/64 | 分类号： | H03K3/64 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 100031 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高压方波发生器实现方法，所述发生器包括高压直流源、电阻、储能电容、触发脉宽调节模块、上升沿电路、下降沿电路和同步控制触发模块；所述上升沿电路包括固体开关MOSFET和光耦隔离驱动电路；所述下降沿电路包括固体开关MOSFET电路与雪崩三极管串；所述高压直流源、电阻、储能电容、触发脉宽调节模块、固体开关MOSFET和光耦隔离驱动电路和雪崩三极管串依次连接。所述实现方法包括：（1）高压直流电源对储能电容预充电；（2）触发脉宽调节模块将外触发信号转变为脉宽可调方波信号；（3）控制光耦隔离驱动电路驱动MOSFET导通，对负载快速充电形成上升沿电路；（4）驱动下降沿电路的MOSFET与雪崩管导通，快速截断输出脉冲形成下降沿电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 方波 发生器 实现 方法 | ||
【主权项】：
一种高压方波发生器，其特征在于，所述发生器包括高压直流源、电阻、储能电容、触发脉宽调节模块、上升沿电路、下降沿电路和同步控制触发模块；所述上升沿电路包括固体开关MOSFET和光耦隔离驱动电路；所述下降沿电路包括固体开关MOSFET电路与雪崩三极管串；所述高压直流源、电阻、储能电容、触发脉宽调节模块、固体开关MOSFET和光耦隔离驱动电路和雪崩三极管串依次连接。
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