[发明专利]晶硅太阳能电池片边缘局部漏电的处理方法有效

专利信息
申请号: 201310721552.7 申请日: 2013-12-24
公开(公告)号: CN103746028A 公开(公告)日: 2014-04-23
发明(设计)人: 丁继业;安百俊;田治龙;周筱丽;朱丽娟 申请(专利权)人: 宁夏银星能源股份有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 宁夏专利服务中心 64100 代理人: 赵明辉
地址: 750021 宁夏回族*** 国省代码: 宁夏;64
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种成品晶硅太阳能电池片并联电阻偏小的处理方法,尤其是晶硅太阳能电池片边缘局部漏电的处理方法。其特点是,包括如下步骤:(1)收集因漏电流大导致的不合格电池片,通过测试识别出所有电池片(4)边缘的漏电位置;(2)将电池片(4)堆叠放置在一起;(3)采用250目或以上的细砂纸打磨漏电位置;(4)用干燥的无尘布擦去打磨位置处的较大颗粒,再采用无水乙醇湿润的无尘布擦拭从而去掉全部粉尘即可。本发明提供了一种晶硅太阳能电池片边缘局部漏电的处理方法,经过试用证明可以对因边缘局部漏电大、并联电阻小造成的不合格晶硅太阳能电池片进行修复处理。
搜索关键词: 太阳能电池 边缘 局部 漏电 处理 方法
【主权项】:
一种晶硅太阳能电池片边缘局部漏电的处理方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)收集因漏电流大导致的不合格电池片,通过测试识别出所有电池片(4)边缘的漏电位置;(2)将电池片(4)堆叠放置在一起,在该堆叠的电池片(4)两侧分别依次设有缓冲软垫(3)、硬质垫(2),还包括夹具(1),该夹具(1)将堆叠的电池片(4)两侧的硬质垫(2)夹持住从而将所有电池片(4)夹紧;(3)采用250目或以上的细砂纸打磨漏电位置,控制打磨深度0.1‑0.5mm;(4)用干燥的无尘布擦去打磨位置处的较大颗粒,再采用无水乙醇湿润的无尘布擦拭从而去掉全部粉尘即可。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁夏银星能源股份有限公司,未经宁夏银星能源股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310721552.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top