[发明专利]光罩式只读存储器的结构及制造方法在审
| 申请号： | 201310717885.2 | 申请日： | 2013-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN104733393A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 刘冬华;钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L27/112 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光罩式只读存储器的制造方法，步骤包括：1）用现有工艺在硅衬底有源区上形成浅隔离槽，并进行P阱注入；2）涂布N型埋源漏的光阻，曝光，进行砷离子或磷离子注入，形成N型埋源漏；3）除去光刻胶，用现有工艺形成栅氧、多晶硅栅和栅极隔离侧墙；4）对多晶硅栅进行P型离子的掺杂注入。本发明还公开了用上述方法制造的光罩式只读存储器的结构，其多晶硅栅极的掺杂类型为P型。本发明通过将光罩式只读存储器的多晶硅栅极由传统的N型替换成P型，使栅极掺杂类型与沟道掺杂类型一致，减小了沟道与栅极的真空能级的差异，从而在不需要提高沟道掺杂浓度的情况下，提高了光罩式只读存储器的阈值电压，抑制了器件的漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 光罩式 只读存储器 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
光罩式只读存储器的制造方法，其特征在于，步骤包括：1）用现有工艺在硅衬底有源区上形成浅隔离槽，并进行P阱注入；2）涂布N型埋源漏的光阻，曝光，进行砷离子或磷离子注入，形成N型埋源漏；3）除去光刻胶，用现有工艺形成栅氧、多晶硅栅和栅极隔离侧墙；4）对多晶硅栅进行P型离子的掺杂注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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