[发明专利]一种磁性纳米阵列的制备及转移方法有效
| 申请号： | 201310716991.9 | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103708414A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 赵兰普;宋晓辉;岳鹏飞;庄春生;乔彦超 | 申请（专利权）人： | 河南省科学院应用物理研究所有限公司 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 450008 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种磁性纳米阵列的制备及向金属衬底转移的方法。首先通过二次阳极氧化法制备未贯通的氧化铝多孔模板，然后在模板的孔洞中沉积磁性纳米材料，并通过控制沉积纳米线长度使模板孔洞保留一定未填充深度，随之在模板表面沉积金属，形成具有纳米孔洞的连续金属膜，在一定温度和压力作用下同金属衬底进行热压键合，最后溶解模板，实现磁性纳米线向金属衬底的转移。本发明工艺简单，操作方便，与微电子加工工艺兼容，尤其是利用形成的多孔纳米金属膜层的纳米尺度效应，实现了低温键合，在基于微机电系统的磁性传感器制造领域具有广泛应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 纳米 阵列 制备 转移 方法 | ||
【主权项】：
一种磁性纳米阵列的制备及转移方法，其特征在于在未完全贯通的氧化铝多孔模板上沉积磁性材料，形成磁性纳米阵列，然后在未完全填充的模板上沉积金属薄膜，利用形成的连续多孔纳米金属层与金属衬底进行低温热压键合，最后溶解模板，实现纳米阵列转移。
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