[发明专利]管径均匀的碳纳米管阵列及其生长方法有效
| 申请号： | 201310714065.8 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103771389A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 董绍明;甄琦;阚艳敏;胡建宝;高乐 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人： | 刘秋兰 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种生长管径均匀的碳纳米管阵列的方法，主要包括：步骤A)在金属箔片上沉积缓冲层和催化剂层形成复合基底；步骤B)通入还原气体，于3～20kPa低压下对复合基底上的催化剂进行还原处理；步骤C)通入由惰性气体、还原气体和碳源气体组成的混合气体，于15～40kPa低压下，采用化学气相沉积法在复合基底上原位生长碳纳米管阵列。本发明的方法中，催化剂的还原和碳纳米管阵列的生长分别控制在3～20kPa和15～40kPa的低压下进行，不但提高了工艺的安全性，还有效控制了催化剂粒子的粒径和形貌以及阵列的生长，可以获得高质量管径均匀的碳纳米管阵列。本发明的碳纳米管阵列的高度为100～350μm，管径分布均匀，为8～20nm，标准差小于3nm。 | ||
| 搜索关键词： | 均匀 纳米 阵列 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种管径均匀的碳纳米管阵列，其特征在于，该碳纳米管阵列的高度为100～350μm，管径为8～20nm，管径标准差小于3nm。
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