[发明专利]基于微屏蔽结构的太赫兹带状线滤波器有效
| 申请号： | 201310713045.9 | 申请日： | 2013-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN103715481A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 鲍景富;黄裕霖;李昕熠;邓迪;谭伟;王秋萍 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01P1/203 | 分类号： | H01P1/203 |
| 代理公司： | 四川君士达律师事务所 51216 | 代理人： | 芶忠义 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于微屏蔽结构的太赫兹带状线滤波器，包括滤波器输入端（1）和滤波器输出端（4），滤波器输入端（1）和滤波器输出端（4）之间包括形成S型弯折结构的若干段，各段内部包括：上地平面（15）、下地平面（11）、上信号线（16）、下信号线（12）、上支撑薄膜（17）、下支撑薄膜（13）、上结合壁（18）、下结合壁（14）。本发明由于采用带状线滤波器结构，信号线之间可实现强耦合，从而实现宽带滤波功能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 屏蔽 结构 赫兹 带状线 滤波器 | ||
【主权项】：
一种基于微屏蔽结构的太赫兹带状线滤波器，包括滤波器输入端（1）和滤波器输出端（4），其特征在于，滤波器输入端（1）和滤波器输出端（4）之间包括形成S型弯折结构的若干段，各段内部包括：上地平面（15）、下地平面（11）、上信号线（16）、下信号线（12）、上支撑薄膜（17）、下支撑薄膜（13）、上结合壁（18）、下结合壁（14），下地平面（11）采用多晶硅材料沉积，下地平面（11）上表面镀良导体；然后沉积结合壁（14）并刻蚀出中央空槽，在中央空槽上键合下支撑薄膜（13）和金属材料制作的下信号线（12）；接着用多晶硅材料加高下结合壁（14）的两侧以使上信号线（16）、下信号线（12）隔开；以同样的方法制作上半部分，最后将上下对称的两部分通过键合上结合壁（18）和下结合壁（14）即得到一段。
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