[发明专利]用于半导体器件的测试电路和方法有效
| 申请号： | 201310706321.9 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN104237640B | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 李东郁 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/08 | 分类号： | G01R27/08 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：第一裸片；第二裸片，经由穿硅通孔TSV与第一裸片耦接；以及测试电路，适用于通过控制流经TSV的电流量来测量TSV的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 测试 电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一裸片；第二裸片，所述第二裸片经由穿硅通孔TSV而与所述第一裸片耦接；以及测试电路，所述测试电路通过控制流经所述TSV的电流量来测量所述TSV的电阻，其中，所述测试电路包括：电流源单元，所述电流源单元响应于多个控制信号而供应流经所述TSV的多个可变电流；以及测量块，所述测量块基于所述多个可变电流而测量所述TSV的电阻,其中，所述测量块测量所述多个可变电流之中的至少一个电流以及测量经由所述TSV的所述多个可变电流之和，以及基于测得的电流与测得的所述多个可变电流之和之间的差来获得所述TSV的电阻。
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