[发明专利]无电荷泵结构的低功耗功率管驱动电路

摘要

本发明提供一种无电荷泵结构的低功耗功率管驱动电路，不需要电荷泵升压电路，通过控制传输门的打开和关闭，来控制N型DMOS功率管的栅源电压，降低芯片设计和使用中的成本和复杂度，增加可靠性。在降低功耗的情况下，通过增加通路，快速泄放传输门中的P型MOS管栅极电荷，从而快速关闭传输门中的P型MOS管，实现H桥上桥臂N型DMOS功率管的快速开启和关闭。

主权项

一种无电荷泵结构的功率管驱动电路，所述功率管为N型DMOS管，其特征在于，包括多个N型MOS管（MN0、MN1）、P型MOS管（MP0、MP1、MP2、MP3）、电阻（R1、R2、R3）以及二极管（D0、D1），其中所述P型MOS管（MP0）的源极通过所述电阻（R1）连接到电源(VBB),所述P型MOS管（MP1）的源极通过所述电阻（R2）连接到所述电源(VBB),所述P型MOS管（MP2）的源极通过所述电阻（R3）连接到所述电源(VBB)；所述N型MOS管（MN0）与所述P型MOS管（MP3）组成传输门，所述N型MOS管（MN0）的漏极与所述P型MOS管（MP3）的源极连接，所述N型MOS管（MN0）的源极与所述P型MOS管（MP3）的漏极连接；所述N型MOS管（MN0）的栅极与所述P型MOS管（MP0）的漏极连接，所述P型MOS管（MP3）的栅极与所述P型MOS管（MP2）的漏极连接；所述N型MOS管（MN0）的栅极与所述P型MOS管（MP1）的漏极连接；所述二极管（D0）跨接于所述N型MOS管（MN0）的栅极和源极之间，所述二极管（D0）的负极与所述N型MOS管（MN0）的栅极连接；所述二极管（D1）跨接于所述P型MOS管（MP3），所述二极管（D1）的正极与所述P型MOS管（MP3）的栅极连接；所述二极管（D0）与所述二极管（D1）为稳压二极管；所述N型MOS管（MN1）的漏极与所述P型MOS管（MP0）的漏极连接；所述N型MOS管（MN1）的源极与地电位（GND）连接；所述功率管驱动电路还包括数字控制信号（CTL）、数字控制信号（CTL_P）以及数字控制信号（CTL_N），其中所述数字控制信号（CTL_P）与所述数字控制信号（CTL）同相，所述数字控制信号（CTL_N）与所述数字控制信号（CTL）信号反相；所述功率管驱动电路还包括将所述数字控制信号（CTL）通过电平转换电路得到数字控制信号（CTL_HP）和数字控制信号（CTL_HN）信号，其中所述数字控制信号（CTL_HP）与所述数字控制信号（CTL）同相，所述数字控制信号（CTL_HN）与所述数字控制信号（CTL）信号反相，所述数字控制信号（CTL_HN）与所述数字控制信号（CTL_HP）在VBB‑5V到VBB之间变化；所述数字控制信号（CTL_P）为所述N型MOS管（MN1）的输入信号；所述数字控制信号（CTL_HP）为所述P型MOS管（MP0）的输入信号,所述数字控制信号（CTL_HN）为所述P型MOS管（MP1）的输入信号；所述P型MOS管（MP3）的源极与所述功率管的栅极连接，所述P型MOS管（MP3）的漏极与所述功率管的源极连接。