[发明专利]涂层型二茂铁高分子磁体-半导体配合物复合吸波材料及制备方法有效
申请号: | 201310702497.7 | 申请日: | 2013-12-19 |
公开(公告)号: | CN103725080A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 林云;刘欢;林展如 | 申请(专利权)人: | 四川师范大学 |
主分类号: | C09D7/12 | 分类号: | C09D7/12;C09D127/06;C09D127/22;C09D147/00;C09D133/08;C09D167/02;C09D163/00;C09D175/04;C09D181/04;C09D111/00 |
代理公司: | 成都立信专利事务所有限公司 51100 | 代理人: | 濮家蔚 |
地址: | 610066 *** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: |
涂层型二茂铁高分子磁体-半导体配合物复合吸波材料及制备方法。该复合吸波材料由式(Ⅰ)所示形式的纳米级粉体状二茂铁高分子磁体-半导体配合物10~35重量份份、电损耗材料添加剂5~40重量份份,涂层基材20~60重量份均匀混合组成,其中的二茂铁高分子磁体-半导体配合物和电损耗材料添加剂应为30~60份;涂层基材由涂料树脂及分别为涂层基材总重量5~8%的树脂固化剂和2~3%的固化剂促进剂组成。该复合吸波材料可方便地喷凃于任何形状的金属基材表面,生成坚韧弹性的轻质,宽频及强吸收的吸波凃层,吸波范围可广泛盖复S、X及Ku波段的2~16GHz频段。 |
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搜索关键词: | 涂层 型二茂铁 高分子 磁体 半导体 配合 复合 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.涂层型二茂铁高分子磁体-半导体配合物复合吸波材料,其特征是由式(Ⅰ)所示形式的纳米级粉体状二茂铁高分子磁体-半导体配合物10~35份、电损耗材料添加剂5~40重量份,涂层基材20~60重量份,且二茂铁高分子磁体-半导体配合物和电损耗材料添加剂之和为30~60重量份,其中,涂层基材由涂料树脂及分别为涂层基材总重量5~8%的树脂固化剂和2~3%的固化剂促进剂组成,
(Ⅰ)式中的n为5~l2的整数;M为Fe,Cd,Cr或Mn;式(Ⅰ)中的半导体基元R为
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中的一种;所说的纳米级粉体状二茂铁高分子磁体-半导体配合物的平均粒径优选为100~600nm,平均粒径的更好范围是200~400nm;所说的电损耗材料添加剂为导电炭黑,优选为粒径100~200nm的乙炔炭黑型;碳纤维,优选为直径1~3μm和长度30~l00μm的碳纤维;碳化硅纤维,优选为直径1~5μm和长度30~200μm的碳化硅纤维;铜纤维,优选直径为1~5μm,长度为20~300μm的铜纤维,羰基铁纤维,优选直径1~5μm和长度20~300μm的羰基铁纤维;碳纳米管,优外径40~70μm、内径7~0μm和长度50~800μm的选碳纳米管;纳米碳化硅粉,Si-C-N纳米陶瓷粉体或Si-C-N-O纳米陶瓷粉体中的一种; 所说的涂料树脂为聚烯烃类、聚酯类,聚乙烯醇缩甲醛,聚甲基苯基硅氧烷,三聚氰胺甲醛树脂,醇酸树脂,环氧树脂类,聚氨酯类,合成橡胶类成分中的一种;所说的涂料树脂固化剂为胺类成分,酸酐类成分,聚乙二醇中的一种;所说的固化剂促进剂为苯酚,间苯二酚,吡啶中的一种。
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