[发明专利]涂层型二茂铁高分子磁体-半导体配合物复合吸波材料及制备方法有效
申请号: | 201310702497.7 | 申请日: | 2013-12-19 |
公开(公告)号: | CN103725080A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 林云;刘欢;林展如 | 申请(专利权)人: | 四川师范大学 |
主分类号: | C09D7/12 | 分类号: | C09D7/12;C09D127/06;C09D127/22;C09D147/00;C09D133/08;C09D167/02;C09D163/00;C09D175/04;C09D181/04;C09D111/00 |
代理公司: | 成都立信专利事务所有限公司 51100 | 代理人: | 濮家蔚 |
地址: | 610066 *** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 涂层 型二茂铁 高分子 磁体 半导体 配合 复合 材料 制备 方法 | ||
1.涂层型二茂铁高分子磁体-半导体配合物复合吸波材料,其特征是由式(Ⅰ)所示形式的纳米级粉体状二茂铁高分子磁体-半导体配合物10~35份、电损耗材料添加剂5~40重量份,涂层基材20~60重量份,且二茂铁高分子磁体-半导体配合物和电损耗材料添加剂之和为30~60重量份,其中,涂层基材由涂料树脂及分别为涂层基材总重量5~8%的树脂固化剂和2~3%的固化剂促进剂组成,
(Ⅰ)
式中的n为5~l2的整数;M为Fe,Cd,Cr或Mn;式(Ⅰ)中的半导体基元R为,,,,,中的一种;所说的纳米级粉体状二茂铁高分子磁体-半导体配合物的平均粒径优选为100~600nm,平均粒径的更好范围是200~400nm;
所说的电损耗材料添加剂为导电炭黑,优选为粒径100~200nm的乙炔炭黑型;碳纤维,优选为直径1~3μm和长度30~l00μm的碳纤维;碳化硅纤维,优选为直径1~5μm和长度30~200μm的碳化硅纤维;铜纤维,优选直径为1~5μm,长度为20~300μm的铜纤维,羰基铁纤维,优选直径1~5μm和长度20~300μm的羰基铁纤维;碳纳米管,优外径40~70μm、内径7~0μm和长度50~800μm的选碳纳米管;纳米碳化硅粉,Si-C-N纳米陶瓷粉体或Si-C-N-O纳米陶瓷粉体中的一种;
所说的涂料树脂为聚烯烃类、聚酯类,聚乙烯醇缩甲醛,聚甲基苯基硅氧烷,三聚氰胺甲醛树脂,醇酸树脂,环氧树脂类,聚氨酯类,合成橡胶类成分中的一种;
所说的涂料树脂固化剂为胺类成分,酸酐类成分,聚乙二醇中的一种;
所说的固化剂促进剂为苯酚,间苯二酚,吡啶中的一种。
2.如权利要求1所述的材料,其特征是所说涂料树脂中的聚烯烃类树脂为聚氯乙烯,氯磺化聚氯乙烯,间规聚1,2-丁二烯中的一种。
3.如权利要求1所述的材料,其特征是所说聚酯类成分为聚丙烯酸甲酯或聚苯二甲酸二烯丙酯。
4.如权利要求1所述的材料,其特征是所说环氧树脂类成分为环氧树脂618,环氧树脂648,环氧树脂TDE-85,环氧树脂AS-70中的一种。
5.如权利要求1所述的材料,其特征是所说聚氨酯成分为聚氨酯DW-1。
6.如权利要求1所述的材料,其特征是所说合成橡胶类成分为聚硫橡胶或氯丁橡胶。
7.如权利要求1至6之一所述的材料,其特征是所说涂料树脂固化剂中的胺类成分为乙二胺,二乙烯胺,己二胺,二乙胺基丙胺,三乙醇胺中的一种。
8.如权利要求1至6之一所述的材料,其特征是所说涂料树脂固化剂中的酸酐类成分为顺丁烯二酸酐或均苯四甲酸二酐。
9.权利要求1至8之一所述涂层型二茂铁高分子磁体-半导体配合物复合吸波材料的制备方法,其特征是将所述的纳米级粉体状二茂铁高分子磁体-半导体配合物10~35重量份、电损耗材料添加剂5~40重量份,与涂层基材20~60重量份均匀混合,其中,二茂铁高分子磁体-半导体配合物和电损耗材料添加剂之和应为30~60份,涂层基材由总重量85~95%的涂料树脂、5~8%的树脂固化剂、2~3%的固化剂促进剂和余量的稀释溶剂组成。
10.如权利要求9的制备方法,其特征是所说的稀释溶剂为丙酮,二甲基甲酰胺,四氢呋喃,环己酮,二氯甲烷,氯仿,苯,甲苯,二甲苯,吡咯烷酮,环已烷或二甲基亚砜中的至少一种。
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