[发明专利]一种超宽带信号频段合成电路及合成方法有效
申请号: | 201310700861.6 | 申请日: | 2013-12-18 |
公开(公告)号: | CN103647512B | 公开(公告)日: | 2017-01-25 |
发明(设计)人: | 刘金现;马子腾;柏栓 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 |
主分类号: | H03D7/16 | 分类号: | H03D7/16 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人: | 龚燮英 |
地址: | 266555 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明提供一种超宽带信号频段合成电路及合成方法,在平板状绝缘介质基片上设置有微带线形式的低频信号输入端、高频信号输入端和信号频段合成输出端;所述平板状绝缘介质基片上还设置有集成于微带线中的薄膜电容;所述薄膜电容下电极直接连通低频信号输入端和信号频段合成输出端;第一PIN二极管及第二PIN二极管通过所述薄膜电容上电极实现串联连接;所述第二PIN二极管接地端与信号频段合成输出端微带线中心距离为高频信号输入信号中心频率的四分之一导波波长。采用上述方案,解决了超宽带信号频段合成过程中存的频谱恶化、差损大等技术难题,且具有制作工艺简单,易于与其他电路混合集成等特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 宽带 信号 频段 合成 电路 方法 | ||
【主权项】:
一种超宽带信号频段合成电路,其特征在于,在平板状绝缘介质基片上设置有微带线形式的低频信号输入端、高频信号输入端和信号频段合成输出端;所述平板状绝缘介质基片上还设置有集成于微带线中的薄膜电容;所述微带线还设置连接第一PIN二极管及第二PIN二极管;所述薄膜电容下电极直接连通低频信号输入端和信号频段合成输出端;第一PIN二极管及第二PIN二极管通过所述薄膜电容上电极实现串联连接;所述第二PIN二极管接地端与信号频段合成输出端微带线中心距离为输入高频信号的中心频率信号的四分之一导波波长;高频信号输入端连接到第一PIN二极管的阳极,第一PIN二极管的阴极连接到薄膜电容的上电极,第二PIN二极管的阳极和薄膜电容的上电极连接,第二PIN二极管的阴极接地。
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