[发明专利]一种超宽带信号频段合成电路及合成方法

权利要求书

1.一种超宽带信号频段合成电路，其特征在于，在平板状绝缘介质基片上设置有微带线形式的低频信号输入端、高频信号输入端和信号频段合成输出端；所述平板状绝缘介质基片上还设置有集成于微带线中的薄膜电容；所述微带线还设置连接第一PIN二极管及第二PIN二极管；所述薄膜电容下电极直接连通低频信号输入端和信号频段合成输出端；第一PIN二极管及第二PIN二极管通过所述薄膜电容上电极实现串联连接；所述第二PIN二极管接地端与信号频段合成输出端微带线中心距离为高频信号输入信号中心频率的四分之一导波波长。

2.如权利要求1所述的超宽带信号频段合成电路，其特征在于，所述平板状绝缘介质基片为纯度99.6%以上的氧化铝基片或纯度98%的氮化铝基片或蓝宝石基片；所述平板状绝缘介质基片的厚度为0.1mm～1mm或0.254±0.1mm。

3.如权利要求1所述的超宽带信号频段合成电路，其特征在于，所述微带线和所述薄膜电容通过薄膜光刻工艺实现。

4.如权利要求1所述的超宽带信号频段合成电路，其特征在于，所述薄膜电容的介质材料为聚酰亚胺或氮化硅。

5.如权利要求1所述的超宽带信号频段合成电路，其特征在于，所述第一PIN二极管及第二PIN二极管的截止频率为10倍-15倍最高工作频率。

6.如权利要求5所述的超宽带信号频段合成电路，其特征在于，所述第一PIN二极管及第二PIN二极管的自身串联电阻值为0-5欧姆。

7.如权利要求1所述的超宽带信号频段合成电路，其特征在于，所述高频信号输入端的输入信号为0.1-1倍一个频程。

8.如权利要求1所述的超宽带信号频段合成电路的合成方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：设置平板状绝缘介质基片上还设置有集成于微带线中的薄膜电容；所述薄膜电容上电极还设置连接第一PIN二极管及第二PIN二极管；

步骤2：设置输入信号1的频率范围为DC-F1、输入信号2的频率范围为F1-F2，将输入信号1及输入信号2合成为一路信号输出，输出信号的频率范围为DC-F2；

步骤3：当波段控制信号S为低电平时，第一PIN二极管及第二PIN二极管截止，输入信号1经薄膜电容的下电极直接输出，从而使得低频段信号最低频率从DC开始；当波段控制信号S为高电平时，第一PIN二极管及第二PIN二极管导通，输入信号2经第一PIN二极管输出。

9.如权利要求8所述的合成方法，其特征在于，所述第一PIN二极管及第二PIN二极管通过所述薄膜电容上电极实现串联连接；所述第二PIN3二极管接地端与信号频段合成输出端微带线中心距离为高频信号输入信号中心频率的四分之一导波波长。

10.如权利要求8所述的合成方法，其特征在于，所述薄膜电容采用金属-介质-金属结构，所述薄膜电容的下电极采用标准微带线，所述薄膜电容的上电极宽度为标准微带线五分之四，所述薄膜电容的介质采用聚酰亚胺或氮化硅。