[发明专利]DC/DC转换器及包括该DC/DC转换器的显示装置有效

专利信息
申请号: 201310685050.3 申请日: 2013-12-13
公开(公告)号: CN103872907B 公开(公告)日: 2017-08-04
发明(设计)人: 大贺功一 申请(专利权)人: NLT科技股份有限公司
主分类号: H02M3/155 分类号: H02M3/155;H02M1/44
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 代理人: 黄志华
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及DC/DC转换器及包括该DC/DC转换器的显示装置,在DC/DC转换器中充分地降低从切换FET产生的EMI水平并且使电源的效率的降低最小化。该DC/DC转换器包括用于驱动升压用或降压用的切换FET的切换电路、以及用于驱动振铃频率变化电路的切换电路。电容器的一端与升压用或降压用的切换FET的漏极连接,所述电容器的另一端与用于振铃频率变化电路的FET的漏极连接。用于振铃频率变化电路的FET的源极连接到GND,并且设置控制电路使振铃频率变化电路有效,使得仅在对EMI的加剧产生显著影响的振铃频率分量中振铃频率变低。
搜索关键词: dc 转换器 包括 显示装置
【主权项】:
一种DC/DC转换器,包括:用于驱动升压用或降压用的切换场效应晶体管FET的第一切换电路;以及用于驱动振铃频率变化电路的FET的第二切换电路,其中,电容器的一端连接到升压用或降压用的所述切换FET的漏极,所述电容器的另一端连接到用于所述振铃频率变化电路的FET的漏极,用于所述振铃频率变化电路的所述FET的源极接地,并且设置控制电路,所述控制电路使所述振铃频率变化电路有效,使得仅在升压用或降压用的所述切换FET接通的时刻或升压用或降压用的所述切换FET断开的时刻所产生的振荡中的、对作为电磁辐射的电磁干扰EMI的加剧施加显著影响的振铃频率分量中,振铃频率变低,并且所述控制电路使所述振铃频率变化电路在其他的时刻无效。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于NLT科技股份有限公司,未经NLT科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310685050.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top