[发明专利]DC/DC转换器及包括该DC/DC转换器的显示装置有效
申请号: | 201310685050.3 | 申请日: | 2013-12-13 |
公开(公告)号: | CN103872907B | 公开(公告)日: | 2017-08-04 |
发明(设计)人: | 大贺功一 | 申请(专利权)人: | NLT科技股份有限公司 |
主分类号: | H02M3/155 | 分类号: | H02M3/155;H02M1/44 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | dc 转换器 包括 显示装置 | ||
1.一种DC/DC转换器,包括:
用于驱动升压用或降压用的切换场效应晶体管FET的第一切换电路;以及
用于驱动振铃频率变化电路的FET的第二切换电路,
其中,电容器的一端连接到升压用或降压用的所述切换FET的漏极,
所述电容器的另一端连接到用于所述振铃频率变化电路的FET的漏极,
用于所述振铃频率变化电路的所述FET的源极接地,并且
设置控制电路,所述控制电路使所述振铃频率变化电路有效,使得仅在升压用或降压用的所述切换FET接通的时刻或升压用或降压用的所述切换FET断开的时刻所产生的振荡中的、对作为电磁辐射的电磁干扰EMI的加剧施加显著影响的振铃频率分量中,振铃频率变低,并且所述控制电路使所述振铃频率变化电路在其他的时刻无效。
2.如权利要求1所述的DC/DC转换器,其中,所述振铃频率变化电路包括所述电容器、所述用于所述振铃频率变化电路的FET、以及所述第二切换电路,并且
所述控制电路对所述切换电路的控制时间进行控制,使得在升压用或降压用的所述切换FET的漏极-源极间电压从高电位侧向低电位侧变化并达到低电位的时间点,所述电容器连接在所述切换FET的漏极和源极之间,在升压用或降压用的所述切换FET的漏极-源极间电压从低电位侧向高电位侧变化期间,所述电容器没有连接在所述切换FET的漏极和源极之间。
3.如权利要求1所述的DC/DC转换器,其中,所述振铃频率变化电路包括所述电容器、所述用于所述振铃频率变化电路的FET、以及所述第二切换电路,并且
所述控制电路对所述切换电路的控制时间进行控制,使得在升压用或降压用的所述切换FET的漏极-源极间电压从低电位侧向高电位侧变化并达到高电位的时间点,所述电容器连接在所述切换FET的漏极和源极之间,在升压用或降压用的所述切换FET的漏极-源极间电压从高电位侧向低电位侧变化期间,所述电容器没有连接在所述切换FET的漏极和源极之间。
4.如权利要求1所述的DC/DC转换器,其中,所述控制电路使所述振铃频率变化电路有效,使得仅在升压用或降压用的所述切换FET接通的时刻或升压用或降压用的所述切换FET断开的时刻所产生的振荡中的、对EMI的加剧施加显著影响的振铃频率分量中,振铃频率变得低于印刷电路板的共振频率,并且所述控制电路使所述振铃频率变化电路在其他的时刻无效。
5.一种包括如权利要求1所述的DC/DC转换器的显示装置。
6.一种DC/DC转换器,包括:
用于驱动升压用或降压用的切换场效应晶体管FET的第一切换电路;以及
用于驱动振铃频率变化电路的FET的第二切换电路,
其中,电容器的一端连接到升压用或降压用的所述切换FET的漏极,
所述电容器的另一端连接到用于所述振铃频率变化电路的FET的漏极,
用于所述振铃频率变化电路的所述FET的源极接地,
所述第二切换电路由延迟电路构成,所述延迟电路使用用于驱动升压用或降压用的所述切换FET的所述第一切换电路输出的波形作为基准将时间延迟预定时段,
设置控制电路,所述控制电路使所述振铃频率变化电路有效,使得仅在升压用或降压用的所述切换FET接通的时刻或升压用或降压用的所述切换FET断开的时刻所产生的振荡中的、对作为电磁辐射的EMI的加剧施加显著影响的振铃频率分量中,振铃频率变低,并且所述控制电路使所述振铃频率变化电路在其他的时刻无效。
7.如权利要求6所述的DC/DC转换器,其中,所述振铃频率变化电路包括所述电容器、所述用于所述振铃频率变化电路的FET、以及所述第二切换电路,并且
所述控制电路对所述切换电路的控制时间进行控制,使得在升压用或降压用的所述切换FET的漏极-源极间电压从高电位侧向低电位侧变化并达到低电位的时间点,所述电容器连接在所述切换FET的漏极和源极之间,在升压用或降压用的所述切换FET的漏极-源极间电压从低电位侧向高电位侧变化期间,所述电容器没有连接在所述切换FET的漏极和源极之间。
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