[发明专利]DC/DC转换器及包括该DC/DC转换器的显示装置有效

专利信息
申请号: 201310685050.3 申请日: 2013-12-13
公开(公告)号: CN103872907B 公开(公告)日: 2017-08-04
发明(设计)人: 大贺功一 申请(专利权)人: NLT科技股份有限公司
主分类号: H02M3/155 分类号: H02M3/155;H02M1/44
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 代理人: 黄志华
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: dc 转换器 包括 显示装置
【权利要求书】:

1.一种DC/DC转换器,包括:

用于驱动升压用或降压用的切换场效应晶体管FET的第一切换电路;以及

用于驱动振铃频率变化电路的FET的第二切换电路,

其中,电容器的一端连接到升压用或降压用的所述切换FET的漏极,

所述电容器的另一端连接到用于所述振铃频率变化电路的FET的漏极,

用于所述振铃频率变化电路的所述FET的源极接地,并且

设置控制电路,所述控制电路使所述振铃频率变化电路有效,使得仅在升压用或降压用的所述切换FET接通的时刻或升压用或降压用的所述切换FET断开的时刻所产生的振荡中的、对作为电磁辐射的电磁干扰EMI的加剧施加显著影响的振铃频率分量中,振铃频率变低,并且所述控制电路使所述振铃频率变化电路在其他的时刻无效。

2.如权利要求1所述的DC/DC转换器,其中,所述振铃频率变化电路包括所述电容器、所述用于所述振铃频率变化电路的FET、以及所述第二切换电路,并且

所述控制电路对所述切换电路的控制时间进行控制,使得在升压用或降压用的所述切换FET的漏极-源极间电压从高电位侧向低电位侧变化并达到低电位的时间点,所述电容器连接在所述切换FET的漏极和源极之间,在升压用或降压用的所述切换FET的漏极-源极间电压从低电位侧向高电位侧变化期间,所述电容器没有连接在所述切换FET的漏极和源极之间。

3.如权利要求1所述的DC/DC转换器,其中,所述振铃频率变化电路包括所述电容器、所述用于所述振铃频率变化电路的FET、以及所述第二切换电路,并且

所述控制电路对所述切换电路的控制时间进行控制,使得在升压用或降压用的所述切换FET的漏极-源极间电压从低电位侧向高电位侧变化并达到高电位的时间点,所述电容器连接在所述切换FET的漏极和源极之间,在升压用或降压用的所述切换FET的漏极-源极间电压从高电位侧向低电位侧变化期间,所述电容器没有连接在所述切换FET的漏极和源极之间。

4.如权利要求1所述的DC/DC转换器,其中,所述控制电路使所述振铃频率变化电路有效,使得仅在升压用或降压用的所述切换FET接通的时刻或升压用或降压用的所述切换FET断开的时刻所产生的振荡中的、对EMI的加剧施加显著影响的振铃频率分量中,振铃频率变得低于印刷电路板的共振频率,并且所述控制电路使所述振铃频率变化电路在其他的时刻无效。

5.一种包括如权利要求1所述的DC/DC转换器的显示装置。

6.一种DC/DC转换器,包括:

用于驱动升压用或降压用的切换场效应晶体管FET的第一切换电路;以及

用于驱动振铃频率变化电路的FET的第二切换电路,

其中,电容器的一端连接到升压用或降压用的所述切换FET的漏极,

所述电容器的另一端连接到用于所述振铃频率变化电路的FET的漏极,

用于所述振铃频率变化电路的所述FET的源极接地,

所述第二切换电路由延迟电路构成,所述延迟电路使用用于驱动升压用或降压用的所述切换FET的所述第一切换电路输出的波形作为基准将时间延迟预定时段,

设置控制电路,所述控制电路使所述振铃频率变化电路有效,使得仅在升压用或降压用的所述切换FET接通的时刻或升压用或降压用的所述切换FET断开的时刻所产生的振荡中的、对作为电磁辐射的EMI的加剧施加显著影响的振铃频率分量中,振铃频率变低,并且所述控制电路使所述振铃频率变化电路在其他的时刻无效。

7.如权利要求6所述的DC/DC转换器,其中,所述振铃频率变化电路包括所述电容器、所述用于所述振铃频率变化电路的FET、以及所述第二切换电路,并且

所述控制电路对所述切换电路的控制时间进行控制,使得在升压用或降压用的所述切换FET的漏极-源极间电压从高电位侧向低电位侧变化并达到低电位的时间点,所述电容器连接在所述切换FET的漏极和源极之间,在升压用或降压用的所述切换FET的漏极-源极间电压从低电位侧向高电位侧变化期间,所述电容器没有连接在所述切换FET的漏极和源极之间。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于NLT科技股份有限公司,未经NLT科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310685050.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top