[发明专利]高场不对称离子迁移管有效
| 申请号： | 201310683904.4 | 申请日： | 2013-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103646844B | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 谭政;聂蓉 | 申请（专利权）人： | 北京声迅电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J49/02 | 分类号： | H01J49/02;H01J49/04 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100085 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高场不对称离子迁移管，包括高场不对称电极板、电离源、标准物参照筒、检测电极和偏转电极。本发明通过采用筒式电极板结构，具有很好的屏蔽效果和对离子的聚焦作用，具有小型化、灵敏度高的优点，同时采用了双气路模式，加入了内标物通道，从而使测试结果更为准确。 | ||
| 搜索关键词： | 不对称 离子 迁移 | ||
【主权项】：
一种高场不对称离子迁移管，其特征在于，包括：高场不对称电极板、电离源、标准物参照筒和检测电极；所述高场不对称电极板包括外管和内管，外管接地，内管接高场不对称信号，外管和和内管之间形成气流通道，所述气流通道被前后延伸的隔离物分隔为样品通道和内标物通道，内管开设有连通内标物通道的通孔；所述电离源包括外电离源和内电离源，外电离源套设于外管的前端，内电离源置于内管之中；所述标准物参照筒置于内管之中并在所述内电离源之前；所述样品通道和内标物通道的后端都设置有检测电极；还包括偏转电极，所述偏转电极置于与所述检测电极相对的位置，接负电位使得其电位低于检测电极，使得离子偏转打到检测电极上。
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